تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله سوئیچ شکاف نواری فعال فوتونی مبتنی بر چاه چند کوانتومی GaInNAs – نشریه IEEE

عنوان فارسی: سوئیچ شکاف نواری فعال فوتونی مبتنی بر چاه چند کوانتومی GaInNAs
عنوان انگلیسی: Active Photonic Band-Gap Switch Based on GaInNAs Multiquantum Well
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 12 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 17
سال انتشار : 2012 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 7317 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.32Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق و فوتونیک
گرایش های مرتبط با این مقاله: فوتونیک گرایش الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مهندسی الکترونیک
مجله: مجله فوتونیک - Photonics Journal
دانشگاه: گروه مهندسی برق و الکترونیک، ایتالیا
کلمات کلیدی: کریستال ها یا بلورهای فوتونی،‌ قطعات یا دستگاه های چاه کوانتومی، مواد نیمه هادی، سوئیچ های نوری
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1. مقدمه

2. نظریه مختصر و اجمالی

3. ساختار فوتونی فعال شکاف باند

4. عملیات دستگاه فعال تحت کنترل جریان

5. تاثیر اشباع نوری

6. نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

GaInNAs has been introduced to design an active switch operating at wavelength ¼ 1:2855 m having high selectivity. The device is made of a mono-dimensional periodic photonic band-gap structure constituted by alternating ridge waveguide layers with different ridge heights. The periodic waveguiding structure has been designed to show the band gap in correspondence of the wavelength range where the dilute nitride active material experiences maximum gain. As an example, the performances of the switch under electrical control are crosstalk CT ¼ 14:1 dB, gain in the ON-state G ¼ 7:6 dB, and bandwidth 10 dB ¼ 1:5 nm. By increasing the input power above the optical threshold value of the gain saturation, the switching performance worsens in terms of crosstalk and gain, but the wavelength selectivity improves, since the bandwidth decreases down to 10 dB ¼ 0:8 nm for the input optical power Pi ¼ 20 mW. Index T

نمونه متن ترجمه

چکیده

دستگاه GaInNAs برای طراحی یک سوئیچ فعال عامل در طول موج = 1.2855 میکرومتر با قابلیت انتخاب بالا معرفی شده است. این دستگاه از یک ساختار شکاف باند فوتونی دوره ای و تک بُعدی ساخته شده که متشکل از لایه های موجبر پشته ای (تیغه ای) یا ridge متناوب با ارتفاع پشته های مختلف می باشد.

ساختار موجبر دوره ای برای نشان دادن شکاف باند متناظر با محدوده طول موج طراحی شده است که در آن مواد فعال نیترید رقیق حداکثر بهره را تجربه می نمایند. به عنوان مثال، عملکردهای سوئیچ تحت کنترل الکتریکی تداخل ارتباطی یا همشنوایی CT = 14.1 - دسی بل، بهره در حالت روشن یا وصل G = 7.6 دسی بل، و پهنای باند λ-10dB Δ = 1.5 نانومتر است.

با افزایش قدرت ورودی بالاتر از مقدار آستانه نوری اشباع بهره، عملکرد سوئیچینگ از لحاظ تداخل ارتباطی و یا همشنوایی و بهره بدتر می شود، اما قابلیت انتخاب طول موج بهبود می یابد، چرا که پهنای باند تا λ-10dB Δ = 0.8 نانومتر برای قدرت نوری ورودی Pi = 20 میلی وات کاهش می یابد.