We propose a hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor (HGJLT), taking high-k gate insulator at source side and low-k gate insulator at drain side, which reduces the effects of band-to-band tunnelling (BTBT) in the sub-threshold region. A junctionless transistor (JLT) is turned off by the depletion of carriers in the highly doped thin channel (device layer) which results in a significant band overlap between the valence band of the channel region and the conduction band of the drain region, due to off-state drain bias, that triggers electrons to tunnel from the valence band of the channel region to the conduction band of the drain region leaving behind holes in the channel.These effects of band-to-band tunnelling increase the sub-threshold leakage current, and the accumulation of holes in the channel forms a parasitic bipolar junction transistor (n–p–n BJT for channel JLT) in the lateral direction by the source (emitter), channel (base) and drain (collector) regions in JLT structure in off-state. The proposed HGJLT reduces the subthreshold leakage current and suppresses the parasitic BJT action in off-state by reducing the band-to-band tunnelling probability.
ما ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGJLT) را با اتخاذ یک عایق گیت با k-بالا در سمت سورس و عایق گیت با K-پایین در سمت درین پیشنهاد نموده ایم که باعث کاهش اثرات تونل زنی باند به باند (BTBT) در منطقه زیر آستانه می شود. یک ترانزیستور بدون پیوند (JLT) توسط تهی شدن حامل ها در کانال نازک بسیار دوپ شده (لایه دستگاه) خاموش می شود که منجر به همپوشانی چشمگیر باند بین باند ظرفیت منطقه کانال و باند هدایت منطقه درین می شود که ناشی از بایاس حالت خاموش درین است و باعث تحریک الکترون ها برای تونل زنی از باند ظرفیت منطقه کانال به باند هدایت منطقه درین می شود که حفره ها را در کانال پشت سر می گذارندس. این اثرات تونل زنی باند به باند موجب افزایش جریان نشتی زیر آستانه می شود و تجمع حفره ها در کانال موجب شکل گیزی یک ترانزیستور اتصال دو قطبی پارازیتی (N-P-N BJT برای کانال JLT) در جهت جانبی توسط نواحی سورس (امیتر)، کانال (بیس) و درین (کلکتور) در ساختار JLT در حالت خاموش می شود. HGJLT پیشنهادی, جریان نشتی زیرآستانه را کاهش می دهد و عمل BJT پارازیتی در حالت خاموش را با کاهش احتمال تونل زنی باند به باند سرکوب می کند.
