ترجمه مقاله ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون با اثرات تونل باند به باند کاهش یافته - نشریه IOP

قیمت خرید این محصول

۲۹,۰۰۰ تومان

دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGJLT) با اثرات تونل باند-به-باند کاهش یافته در رژیم زیرآستانه

عنوان انگلیسی

Hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor (HGJLT) with reduced band-to-band tunnelling effects in subthreshold regime

صفحات مقاله فارسی

18

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2014

رفرنس

دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله

نشریه

IOP

فرمت مقاله انگلیسی

pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش

فرمت ترجمه مقاله

pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش

فونت ترجمه مقاله

بی نازنین

سایز ترجمه مقاله

14

نوع مقاله

ISI

کد محصول

F1685

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است ✓

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است ☓

وضعیت ترجمه منابع داخل متن

به صورت عدد درج شده است ✓

ضمیمه

ندارد

بیس

نیست ☓

مدل مفهومی

ندارد☓

پرسشنامه

ندارد☓

متغیر

ندارد☓

رفرنس در ترجمه

در داخل متن و انتهای مقاله درج شده است

رشته و گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق، سیستم های قدرت، برق الکترونیک، مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک

مجله

مجله نیم رساناها - Journal of Semiconductors

دانشگاه

گروه مهندسی برق، انستیتوی فناوری Kanpur، هند

کلمات کلیدی

ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون، تونل زنی باند به باند. حالت خاموش

کلمات کلیدی انگلیسی

hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor - band-to-band tunnelling - off-state

doi یا شناسه دیجیتال

https://doi.org/10.1088/1674-4926/35/6/064001

ترجمه این مقاله با کیفیت متوسط انجام شده است. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1- مقدمه
2- ساختار و شبیه سازی دستگاه
3- نتیجه و بحث
4- نتیجه گیری ها

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

We propose a hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor (HGJLT), taking high-k gate insulator at source side and low-k gate insulator at drain side, which reduces the effects of band-to-band tunnelling (BTBT) in the sub-threshold region. A junctionless transistor (JLT) is turned off by the depletion of carriers in the highly doped thin channel (device layer) which results in a significant band overlap between the valence band of the channel region and the conduction band of the drain region, due to off-state drain bias, that triggers electrons to tunnel from the valence band of the channel region to the conduction band of the drain region leaving behind holes in the channel.These effects of band-to-band tunnelling increase the sub-threshold leakage current, and the accumulation of holes in the channel forms a parasitic bipolar junction transistor (n–p–n BJT for channel JLT) in the lateral direction by the source (emitter), channel (base) and drain (collector) regions in JLT structure in off-state. The proposed HGJLT reduces the subthreshold leakage current and suppresses the parasitic BJT action in off-state by reducing the band-to-band tunnelling probability.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده

ما ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGJLT) را با اتخاذ یک عایق گیت با k-بالا در سمت سورس و عایق گیت با K-پایین در سمت درین پیشنهاد نموده ایم که باعث کاهش اثرات تونل زنی باند به باند (BTBT) در منطقه زیر آستانه می شود. یک ترانزیستور بدون پیوند (JLT) توسط تهی شدن حامل ها در کانال نازک بسیار دوپ شده (لایه دستگاه) خاموش می شود که منجر به همپوشانی چشمگیر باند بین باند ظرفیت منطقه کانال و باند هدایت منطقه درین می شود که ناشی از بایاس حالت خاموش درین است و باعث تحریک الکترون ها برای تونل زنی از باند ظرفیت منطقه کانال به باند هدایت منطقه درین می شود که حفره ها را در کانال پشت سر می گذارندس. این اثرات تونل زنی باند به باند موجب افزایش جریان نشتی زیر آستانه می شود و تجمع حفره ها در کانال موجب شکل گیزی یک ترانزیستور اتصال دو قطبی پارازیتی (N-P-N BJT برای کانال JLT) در جهت جانبی توسط نواحی سورس (امیتر)، کانال (بیس) و درین (کلکتور) در ساختار JLT در حالت خاموش می شود. HGJLT پیشنهادی, جریان نشتی زیرآستانه را کاهش می دهد و عمل BJT پارازیتی در حالت خاموش را با کاهش احتمال تونل زنی باند به باند سرکوب می کند.