تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله شتاب سنج کاملا مجتمع بی سیم پیوند سیمی با ساختار بازخوانی حلقه بسته – نشریه IEEE

عنوان فارسی: شتاب سنج کاملا مجتمع بی سیم پیوند سیمی با ساختار بازخوانی حلقه بسته
عنوان انگلیسی: A Fully-Integrated Wireless Bondwire Accelerometer With Closed-loop Readout Architecture
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 9 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 21
سال انتشار : 2015 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده و pdf
نوع مقاله : ISI پایگاه : اسکوپوس
نوع ارائه مقاله : ژورنال ایمپکت فاکتور(IF) مجله : 4.308 در سال 20118
شاخص H_index مجله : 149 در سال 2019 شاخص SJR مجله : 0.980 در سال 2019
شاخص Q یا Quartile (چارک) : Q1 در سال 2018 شناسه ISSN مجله : 1549-8328
کد محصول : 9659 رفرنس : دارد ✓
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.94Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، سیستم های قدرت
کنفرانس: نتایج بدست آمده در مورد مدارها و سیستم های I: مقالات عادی - Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
دانشگاه: گروه مهندسی برق، دانشگاه ملی چونگ چنگ، تایوان
کلمات کلیدی: پیوند سیمی، CMOS، حسگر اینرسی، شتاب سنج رزونانس، شتاب سنج بی سیم
کلمات کلیدی انگلیسی: Bondwire - CMOS - inertial sensing - resonant accelerometer - wireless accelerometer
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه منابع داخل متن: به صورت عدد درج شده است ✓
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
بیس: است ✓
مدل مفهومی: دارد ✓
پرسشنامه: ندارد ☓
متغیر: ندارد ☓
doi یا شناسه دیجیتال: https://doi.org/10.1109/TCSI.2015.2471595
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

مقدمه

المان حسگر

مدل مکانیکی حسگرهای اینرسی پیوند سیمی

فرکانس تشدید مکانیکی

اندوکتانس پیوند سیمی

بسته بندی حسگر

تجزیه و تحلیل تغییرات و قابلیت اطمینان

مدار بازخوانی پیشنهادی

دمدولاتور FM مبتنی بر PLL

بلوک های مداری دمدولاتور PLL

تقویت کننده میان گذر و SAR ADC

فرستنده بی سیم

نتایج آزمایشگاهی

ویژگی های حسگر

مشخص سازی رابط الکتریکی

اعتبارسنجی سیستم

نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

This paper presents a fully-integrated wireless bondwire accelerometer using a closed-loop readout interface that effectively reduces the noise from electrical circuits and long-term frequency drifts. The proposed accelerometer was fabricated using 0.18- μm CMOS technology without micro electromechanical systems (MEMS) processing. To reduce manufacturing errors, the bondwire inertial sensors are wire-bonded on the chip pads, thereby enabling a precisely-defined length and space between sensing bondwires. The proposed wireless accelerometer using a pair of 15.2 μm and 25.4 μm bondwires achieves a linear transducer gain of 33 mV/g, bandwidth of 5 kHz, a noise floor of 700 μg/√Hz, and 4.5 μg bias stability. The acceleration data is digitalized by an energy-efficient 10-bit SAR ADC and then wirelessly transmitted in real time to the external reader by a low-power on-off shift keying (OOK) transmitter. The proposed architecture consumes 9 mW and the chip area is 2 mm × 2.4 mm.

نمونه متن ترجمه

چکیده

این مقاله یک شتاب سنج کاملا مجتمع بی سیم پیوند سیمی با استفاده از یک رابط بازخوانی حلقه بسته را معرفی می کند که به طور موثر نویز مدارهای الکتریکی و تغییرات بلند مدت فرکانسی را کاهش می دهد. شتاب سنج پیشنهادی با استفاده از فناوری CMOS 0.18 میکرومتر بدون پردازش سیستم های میکرو الکترومکانیکی (MEMS) ساخته شد. برای کاهش دادن خطاهای ساخت، حسگرهای اینرسی پیوند سیمی بر روی پدهای تراشه به صورت سیم متصل شده، در نتیجه طول و فضای دقیق بین پیوند سیمی های اندازه گیری حاصل می شود. شتاب سنج بی سیم پیشنهادی، با استفاده یک جفت پیوند سیمی به ابعاد 15.2 و 25.4 میکرومتر به بهره مبدل خطی 33 mV/g ، پهنای باند 5 کیلو هرتز، کف نویز 700 μg/√Hz و 4.5 μg پایداری بایاس دست می یابد. دادهای شتاب به وسیله ی یک ADC SAR 10 بیتی با راندمان انرژی بالا دیجیتالی شده و سپس به صورت بی سیم بلادرنگ به قرائت گر خارجی توسط یک فرستنده ی کم توان با کلیدزنی شیفت قطع و وصل (OOK) ارسال می شود.. ساختار پیشنهادی تنها 9 وات توان مصرف می کند و مساحت تراشه برابر با 2 * 2.4 میلی متر است.