تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a – نشریه IEEE

عنوان فارسی: یک تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع برای اپلیکیشن های استاندارد IEEE 802.11a
عنوان انگلیسی: A Fully Integrated CMOS Low Noise Amplifier for IEEE 802.11a Standard Applications
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 11
سال انتشار : 2011 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 8437 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.34Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت و مدارهای مجتمع الکترونیک
مجله: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران - 19th Iranian Conference on Electrical Engineering
دانشگاه: گروه مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران
کلمات کلیدی: RF CMOS LNA، تقویت کننده کم نویز، RF-front end، باند فوق عریض (UWB)، خنثی سازی القایی
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

معرفی

فرآیند طراحی

تشدید ورودی/خروجی

تاثیر Lf در پایداری و ایزولاسیون معکوس(S21)

تطابق امپدانس خروجی

تطابق امپدانس ورودی

عدد نویز

خطینگی

پارامترهای S و نتایج شبیه سازی

نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

In this paper, a fully integrated CMOS low noise amplifier (LNA) with on-chip spiral inductors in 0.18µm CMOS technology for IEEE 802.11a applications is presented. Using cascode topology and modified input impedance network as well as inductor neutralization technique, the LNA power dissipation is lowered to 15.8mW while having power gain of 17.82dB and reverse isolation factor of -58.37dB at centre frequency of 5.5GHz. S11 and S22 are equal to -16.1dB and - 32dB, respectively. Designed LNA has IIP3 of +3dBm and less than 2.9dB noise figure (NF) in working band width, as resulted from transistor level simulation using TSMC RF CMOS 0.18 µm design kit.

نمونه متن ترجمه

چکیده

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز CMOS تماما مجتمع (LNA) با سلف های حلقوی روی تراشه در تکنولوژی 0.18 میکرومتر CMOS برای اپلیکیشن های IEEE 802.11a ارایه شده است. استفاده از ساختار کسکد و شبکه امپدانس ورودی اصلاح شده همچنین تکنیک خنثی سازی سلف، مصرف توان LNA را به 15.8 میلی وات کاهش داده است، درحالیکه گین توان 17.82dB و ضریب ایزولاسیون معکوس -58.37dB در فرکانس مرکزی 5.5GHz دارد. S11 وS22 به ترتیب برابر 16.1dB - و 32dB می باشد. LNA طراحی شده IIP3 برابر 3dBm و عدد نویز(NF) کمتر از 2.9dB در محدوده پهنای باند عملکرد دارد، همانطور که از شبیه سازی سطح ترانزیستوری با استفاده از دیزاین کیت TSMC RF CMOS 0.18µm نتیجه گرفته شده است.