دانلود ترجمه مقاله طراحی تقویت کننده قدرت AB کلاس CMOS باند-C برای تامین ولتاژ پایین - مجله IEEE

قیمت خرید این محصول

۳۵,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

طراحی تقویت کننده قدرت AB کلاس CMOS باند-C برای تامین ولتاژ فوق العاده پایین ۱.۹V

عنوان انگلیسی

Design of a C-Band CMOS Class AB Power Amplifier for an Ultra Low Supply Voltage of 1.9 V

صفحات مقاله فارسی

12

صفحات مقاله انگلیسی

4

سال انتشار

2007

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

4126

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق و فیزیک

گرایش های مرتبط با این مقاله

اپتیک و لیزر، اپتوالکترونیک، مهندسی الکترونیک و سیستم های الکترونیک دیجیتال

مجله

کنفرانس بین المللی مایکروویو و اپتوالکترونیک

دانشگاه

دانشگاه فنی درسدن، آلمان

کلمات کلیدی

تقویت‌کننده توان، ولتاژ تغذیه پایین، تحلیل کشش بار

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
۱    مقدمه
۲ فرآیند طراحی
A   تعیین معماری
B تحلیل کشش بار
C نتایج تحلیل کشش بار
D   طراحی مدار
۳   اندازه‌گیری در برابر شبیه‌سازی نتایج
۴    مقایسه حالت فنی
۵    نتیجه‌گیری و چشم‌انداز

نحوه خرید نسخه پاورپوینت این مقاله

اگر مایل به تهیه نسخه پاورپوینت مقاله طراحی تقویت کننده قدرت AB کلاس CMOS باند-C برای تامین ولتاژ فوق العاده پایین ۱.۹V هستید اینجا کلیک نمایید. همچنین برای خرید مقاله ورد از دکمه های زیر استفاده نمایید.

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

Present day power amplifier (PA) design struggles with the fact that applicable supply voltages are continuously shrinking for short channel MOS transistors, which makes reaching high output power values increasingly difficult. This work develops a Class AB PA with an optimized load impedance for maximum output power with the help of a systematic loadpull analysis. It will display necessary trade offs for optimum output power and small signal gain. The presented PA, realized in CMOS, shows a measured output power of 19.8 dBm at 5.8 GHz for a supply voltage of 1.9 V. The drain efficiency at the 1 dB compression point reaches 28.1 %, the highest report up to today for this output power level.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده

تقویت‌کننده‌های توان (PA) کوشش‌ها بااین حقیقت که ولتاژ تامین‌شده قابل اجرا به‌طور مداوم برای کانال‌های کوتاه ترانزیستور MOS کاهش‌می‌یابد را طراحی‌می‌کنند، که باعث می‌شود مقدار توان خروجی بالای به‌طور فزاینده دشوارمی‌شود. این کار کلاس AB PA را با یک امپدانس بار بهینه‌شده برای حداکثر توان خروجی با کمک تحلیل کشش بار توسعه‌می‌دهد. این مبادلات ضروری توان خروجی بهینه و افزایش‌دهنده سیگنال‌های کوچک را نشان‌می‌دهد. PA نشان‌داده‌شده، در CMOS تحقق می‌یابد، توان خروجی اندازه‌گرفته‌شده 19.8dBm در 5.8GHz برای ولتاژ تامین‌شده 1.9v را نشان‌می‌دهد. تخلیه بهره‌وری در نقطه فشرده‌سازی 1dB به 28.1% بالاتر از گزارش امروز برای این سطح توان خروجی می‌رسد.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فیزیک