ترجمه مقاله تقویت کننده توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با فناوری GaN و GaAs pHEMT - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۲۴,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT

عنوان انگلیسی

Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT

صفحات مقاله فارسی

9

صفحات مقاله انگلیسی

4

سال انتشار

2006

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

5522

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق و مهندسی فناوری اطلاعات و ارتباطات

گرایش های مرتبط با این مقاله

برق مخابرات، شبکه های مخابراتی، مخابرات میدان و موج و مخابرات ماهواره ای

مجله

سی و ششمین کنفرانس اروپایی مایکروفر (مایکروویو)

دانشگاه

دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه Northumbria، نیوکاسل، بریتانیا

کلمات کلیدی

تقویت کننده های توان، راندمان بالا، کلاس F، کلاس F معکوس، مدارمجتمع یکپارچه (MMIC)، GaN HEMT، GaAs

فهرست مطالب

چکیده
1.مقدمه
2.اصول PA کلاس F و کلاس F معکوس و متدولوژی طراحی
1-پایه های کلاس F و کلاس F معکوس
2- متدولوژی طراحی
PA3. mmic کلاس F 2 GHzبا استفاده از فناوری GaN
1-طراحی مدار
2-اندازه گیری های PA MMIC کلاس F 2.0 GHz
4.PA کلاس F معکوس 2.45 GHz کم هزینه با استفاده از PHEMT GAAS بسته بندی در فناوری PCB
1- طراحی مدار
2-پیاده سازی تجربی
5.نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

ABSTRACT

This paper presents the designs and results of two high-efficiency harmonics-tuned microwave power amplifiers (PA): the first one is a 2 GHz class-F PA in monolithic integrated circuit (MMIC) by using GaN HEMT technology, and the other one is a 2.45-GHz inverse class-F PA using packaged GaAs pHEMT devices with PCB technology. In the class-F MMIC PA, field-plated GaN HEMT device is used for high-power performance. The 2.0- GHz class-F MMIC PA achieves a PAE of 50%, 38 dBm output power, and 6.2 W/mm power density. The inverse class-F PA at 2.45 GHz achieves 22.6 dBm output power and 73% PAE at 3 dB compression, and has very low cost.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده:
این مقاله طراحی و نتایج دو تقویت کننده توان(PA) میکروموج هارمونیک منظم با راندمان بالا را ارائه می کند: مورد اول یک PA کلاس F 2 گیگاهرتزی در مدار مجتمع یکپارچه (MMIC) با استفاده از فناوری GaAs pHEMT است و مورد دیگر PA کلاس F معکوس 2.45 گیگاهرتزی با استفاده از قطعات GaAs pHEMT بسته شده با فناوری PCB می باشد. در PA مدارمجتمع یکپارچه کلاس F، قطعه GaN HEMT صفحه میدان برای عملکرد با توان بالا استفاده می شود. PA MMIC کلاس F 2 گیگاهرتزی به PAE 50 درصد، توان خروجی 38 dBm و چگالی توان 6.2 W/mm می رسد. PA کلاس F معکوس در 2.45 GHz نیز به توان خروجی 22.6 dBm و PAE 73 % در تراکم 3dB می رسد و هزینه بسیار کمتری نیز دارد.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فناوری اطلاعات و ارتباطات ICT