تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله تقویت کننده توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با فناوری GaN و GaAs pHEMT – نشریه IEEE

عنوان فارسی: طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT
عنوان انگلیسی: Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 9
سال انتشار : 2006 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 5522 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 3.03Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق و مهندسی فناوری اطلاعات و ارتباطات
گرایش های مرتبط با این مقاله: برق مخابرات، شبکه های مخابراتی، مخابرات میدان و موج و مخابرات ماهواره ای
مجله: سی و ششمین کنفرانس اروپایی مایکروفر (مایکروویو)
دانشگاه: دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه Northumbria، نیوکاسل، بریتانیا
کلمات کلیدی: تقویت کننده های توان، راندمان بالا، کلاس F، کلاس F معکوس، مدارمجتمع یکپارچه (MMIC)، GaN HEMT، GaAs
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر: ترجمه نشده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1.مقدمه

2.اصول PA کلاس F و کلاس F معکوس و متدولوژی طراحی

1-پایه های کلاس F و کلاس F معکوس

2- متدولوژی طراحی

PA3. mmic کلاس F 2 GHzبا استفاده از فناوری GaN

1-طراحی مدار

2-اندازه گیری های PA MMIC کلاس F 2.0 GHz

4.PA کلاس F معکوس 2.45 GHz کم هزینه با استفاده از PHEMT GAAS بسته بندی در فناوری PCB

1- طراحی مدار

2-پیاده سازی تجربی

5.نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

ABSTRACT

This paper presents the designs and results of two high-efficiency harmonics-tuned microwave power amplifiers (PA): the first one is a 2 GHz class-F PA in monolithic integrated circuit (MMIC) by using GaN HEMT technology, and the other one is a 2.45-GHz inverse class-F PA using packaged GaAs pHEMT devices with PCB technology. In the class-F MMIC PA, field-plated GaN HEMT device is used for high-power performance. The 2.0- GHz class-F MMIC PA achieves a PAE of 50%, 38 dBm output power, and 6.2 W/mm power density. The inverse class-F PA at 2.45 GHz achieves 22.6 dBm output power and 73% PAE at 3 dB compression, and has very low cost.

نمونه متن ترجمه

چکیده:

این مقاله طراحی و نتایج دو تقویت کننده توان(PA) میکروموج هارمونیک منظم با راندمان بالا را ارائه می کند: مورد اول یک PA کلاس F 2 گیگاهرتزی در مدار مجتمع یکپارچه (MMIC) با استفاده از فناوری GaAs pHEMT است و مورد دیگر PA کلاس F معکوس 2.45 گیگاهرتزی با استفاده از قطعات GaAs pHEMT بسته شده با فناوری PCB می باشد. در PA مدارمجتمع یکپارچه کلاس F، قطعه GaN HEMT صفحه میدان برای عملکرد با توان بالا استفاده می شود. PA MMIC کلاس F 2 گیگاهرتزی به PAE 50 درصد، توان خروجی 38 dBm و چگالی توان 6.2 W/mm می رسد. PA کلاس F معکوس در 2.45 GHz نیز به توان خروجی 22.6 dBm و PAE 73 % در تراکم 3dB می رسد و هزینه بسیار کمتری نیز دارد.