تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

دانلود پاورپوینت بهبود عملکردISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته

قیمت خرید این کالا
6,700 تومان
دانلود رایگان نمونه خرید و دانلود کالا
فرمت مقاله : پاورپوینت کد محصول : P4220
تعداد اسلایدها : 37 تعداد شکل، نمودار و جداول : 17
قابلیت ویرایش : دارد قابلیت پرینت : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.58Mb
عنوان کامل: بهبود عملکردISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته
رشته های مربوط: مهندسی برق و مهندسی پزشکی
گرایشهای مربوط: الکترونیک و بیوالکتریک
این مقاله با فرمت پاورپوینت بوده و قابلیت ویرایش کامل دارد. پس از انجام خرید، بلافاصله محصول قابل دانلود میباشد.
فهرست

مقدمه

اثر بدن درISFET

طراحی رابط سنسور

نتایج و بحث

نتیجه گیری

بخشی از پاورپوینت

اثر بدن درISFET

ساختار ISFET شبیه به ترانزیستور MOS می باشد، با این تفاوت که از ایزولاتور یا مقره گیت رو باز یا غشا برای اندازه گیری غلظت یون منتخب در یک الکترولیت استفاده می کند مثلاً تغییرات در pH الکترولیت به خاطر فعالیت یونی در سطح میانی الکترولیت- ایزولاتور(مقره) تغییراتی درولتاژ آستانه ایجاد می کند. بنابراین، اندازه گیری ولتاژ آستانه ISFET به نسبت غلظت pH الکترولیت مستقیماً تغییر می کند. راه اندازی و فعالیت دستگاه یک ISFET از طریق شاخصه وابسته به pH و رفتار MOSFET استنباط می گردد.

نکات

- تنها در فروشگاه اینترنتی ایران عرضه میتوانید قبل از خرید برای اطمینان از محتوای محصول، قسمتی از مقاله پاورپوینت را به طور رایگان دانلود کنید و در صورت رضایت خریداری نمایید.

- اگر مایل به تغییر قالب فعلی مقاله پاورپوینتی که خریداری نموده اید، هستید، برای دریافت تم و قالب های آماده پاورپوینت تخصصی اینجا کلیک نمایید.

- تمامی حقوق مادی و معنوی این محصول متعلق به گروه آموزشی ایران عرضه بوده و هرگونه انتشار این مقاله پاورپوینت به صورت انبوه بدون اخطار قبلی پیگرد قانونی در پی خواهد داشت.