تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

دانلود ترجمه مقاله بهبود عملکرد ISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته – مجله الزویر

عنوان فارسی: بهبود عملکرد ISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته
عنوان انگلیسی: ISFET performance enhancement by using the improved circuit techniques
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 8 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 15
سال انتشار : 2006 نشریه : الزویر - Elsevier
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 4220 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.75Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق، سایبرنتیک پزشکی و مهندسی پزشکی
گرایش های مرتبط با این مقاله: بیوالکتریک، مهندسی پزشکی بالینی و مهندسی الکترونیک
مجله: سنسورها و محرک ها B
دانشگاه: گروه مهندسی الکترونیک، دانشگاه یوان چانگ، تایوان
کلمات کلیدی: ISFET، کاهش اثر بدن، وابستگی دمایی، دریفت بلند مدت، CMOS
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

۱ مقدمه

۲ اثر بدن در ISFET

۳ طراحی رابط سنسور

۴ نتایج و بحث

۱ ۴ اندازه گیری ISFETI-V

۲ ۴ تست حساسیت pH

۳ ۴ تست دریفت بلند مدت

۴ ۴ تست وابستگی دما

۵ نتایج

نمونه متن انگلیسی

Abstract

An approach to enhance accuracy of the output signal obtained from ISFET interface electronics due to the body effect is proposed. Based on an MOS drawing the same drain current as the ISFET, the scheme allows reduction of influence of body effect. The presented readout interface improves the accuracy of pH measurements, while maintaining operation at constant drain-source voltage and current condition. Using only one ISFET with a differential output configuration, we obtained temperature-dependency and long-term drift as well as common noise compensation. The proposed technique is simple and has a universal use for different ISFETs. In addition, a voltage-controlled dc offset error compensation circuit modulates the extracted signal to the desired dc level for the A/D converter for each sensor. Simulation and experimental results show a great effect on monolithic ISFET integration in CMOS technology.

نمونه متن ترجمه

چکیده

در این مقاله، شیوه ای برای بهبود صحت سیگنال خروجی بدست آمده از الکترونیک رابط ISFET به خاطر اثر بدن پیشنهاد شده است. براساس یک MOS که جریان درین یکسان با ISFET ترسیم می کند، طرح پیشنهادی امکان کاهش تاثیر اثربدن را فراهم می آورد. رابط و واسط خواندن مطرح شده، صحت اندازه گیریهای pH را بهبود بخشیده و در عین حال، عملیات را در شرایط ولتاژ و جریان ثابت منبع درین حفظ می کند. با استفاده از تنها یک ISFET با پیکره بندی خروجی تفاضلی، وابستگی دما و دریفت(رانه) بلند مدت و همچنین جبران نویز را بدست آوردیم. تکنیک پیشنهادی ساده بوده و در ISFET های مختلف کاربرد دارد. به علاوه، مدار جبران و تعدیل خطای آفست dc با ولتاژ کنترل شده سیگنال استخراج شده برای هر سنسور را به سطح dc مطلوب برای مبدل A/D تعدیل می دهد(مدوله). نتایج شبیه سازی وآزمایش اثر بزرگ بر یکپارچه سازی یکنواخت ISFET در تکنولوژی CMOS نشان می دهد.

نحوه خرید نسخه پاورپوینت این مقاله