دانلود ترجمه مقاله بهبود عملکرد ISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته - مجله الزویر

قیمت خرید این محصول

۴۱,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

بهبود عملکرد ISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته

عنوان انگلیسی

ISFET performance enhancement by using the improved circuit techniques

صفحات مقاله فارسی

15

صفحات مقاله انگلیسی

8

سال انتشار

2006

نشریه

الزویر - Elsevier

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

4220

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق، سایبرنتیک پزشکی و مهندسی پزشکی

گرایش های مرتبط با این مقاله

بیوالکتریک، مهندسی پزشکی بالینی و مهندسی الکترونیک

مجله

سنسورها و محرک ها B

دانشگاه

گروه مهندسی الکترونیک، دانشگاه یوان چانگ، تایوان

کلمات کلیدی

ISFET، کاهش اثر بدن، وابستگی دمایی، دریفت بلند مدت، CMOS

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
۱ مقدمه
۲ اثر بدن در ISFET
۳ طراحی رابط سنسور
۴ نتایج و بحث
۱ ۴ اندازه گیری ISFETI-V
۲ ۴ تست حساسیت pH
۳ ۴ تست دریفت بلند مدت
۴ ۴ تست وابستگی دما
۵ نتایج

نحوه خرید نسخه پاورپوینت این مقاله

اگر مایل به تهیه نسخه پاورپوینت مقاله بهبود عملکرد ISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته هستید اینجا کلیک نمایید. همچنین برای خرید مقاله ورد از دکمه های زیر استفاده نمایید.

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

An approach to enhance accuracy of the output signal obtained from ISFET interface electronics due to the body effect is proposed. Based on an MOS drawing the same drain current as the ISFET, the scheme allows reduction of influence of body effect. The presented readout interface improves the accuracy of pH measurements, while maintaining operation at constant drain-source voltage and current condition. Using only one ISFET with a differential output configuration, we obtained temperature-dependency and long-term drift as well as common noise compensation. The proposed technique is simple and has a universal use for different ISFETs. In addition, a voltage-controlled dc offset error compensation circuit modulates the extracted signal to the desired dc level for the A/D converter for each sensor. Simulation and experimental results show a great effect on monolithic ISFET integration in CMOS technology.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
در این مقاله، شیوه ای برای بهبود صحت سیگنال خروجی بدست آمده از الکترونیک رابط ISFET به خاطر اثر بدن پیشنهاد شده است. براساس یک MOS که جریان درین یکسان با ISFET ترسیم می کند، طرح پیشنهادی امکان کاهش تاثیر اثربدن را فراهم می آورد. رابط و واسط خواندن مطرح شده، صحت اندازه گیریهای pH را بهبود بخشیده و در عین حال، عملیات را در شرایط ولتاژ و جریان ثابت منبع درین حفظ می کند. با استفاده از تنها یک ISFET با پیکره بندی خروجی تفاضلی، وابستگی دما و دریفت(رانه) بلند مدت و همچنین جبران نویز را بدست آوردیم. تکنیک پیشنهادی ساده بوده و در ISFET های مختلف کاربرد دارد. به علاوه، مدار جبران و تعدیل خطای آفست dc با ولتاژ کنترل شده سیگنال استخراج شده برای هر سنسور را به سطح dc مطلوب برای مبدل A/D تعدیل می دهد(مدوله). نتایج شبیه سازی وآزمایش اثر بزرگ بر یکپارچه سازی یکنواخت ISFET در تکنولوژی CMOS نشان می دهد.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی پزشکی