ترجمه مقاله مبدل دیجیتال به آنالوگ مبتنی بر ارجاع گاف انرژی با انحراف کم - نشریه هینداوی

قیمت خرید این محصول

۱۳۲,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

یک مبدل دیجیتال به آنالوگ جدید مبتنی بر ارجاع گاف انرژی با انحراف کم

عنوان انگلیسی

A New Digital to Analog Converter Based on Low-Offset Bandgap Reference

صفحات مقاله فارسی

17

صفحات مقاله انگلیسی

11

سال انتشار

2017

نشریه

هینداوی - Hindawi

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

6842

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، سیستم های الکترونیک دیجیتال و مکاترونیک

مجله

مجله مهندسی برق و کامپیوتر - Journal of Electrical and Computer Engineering

دانشگاه

مدرسه هوانوردی و فضانوردی، دانشگاه ژجیانگ، چین

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

فهرست مطالب

1- معرفی
2- طراحی کلی مدار DAC
3- طراحی مدار BGR
4- طراحی مدار راه انداز
5- طراحی مدار هسته DAC
6- نتایج اندازه گیری و تحلیل
7- نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

This paper presents a new 12-bit digital to analog converter (DAC) circuit based on a low-offset bandgap reference (BGR) circuit with two cascade transistor structure and two self-contained feedback low-offset operational amplifiers to reduce the effects of offset operational amplifier voltage effect on the reference voltage, PMOS current-mirror mismatch, and its channel modulation. A Start-Up circuit with self-bias current architecture and multipoint voltage monitoring is employed to keep the BGR circuit working properly. Finally, a dual-resistor ladder DAC-Core circuit is used to generate an accuracy DAC output signal to the buffer operational amplifier. The proposed circuit was fabricated in CSMC 0.5 ?m 5 V 1P4M process. The measured differential nonlinearity (DNL) of the output voltages is less than 0.45 LSB and integral nonlinearity (INL) less than 1.5 LSB at room temperature, consuming only 3.5 mW from a 5 V supply voltage. The DNL and INL at −55∘ C and 125∘ C are presented as well together with the discussion of possibility of improving the DNL and INL accuracy in future design.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

این مقاله مدار یک مبدل دیجیتال به آنالوگ(DAC) جدید 12 بیتی مبتنی بر ارجاع گاف انرژی با انحراف کم (BGR) را ارایه می کند که در آن از دو ساختار ترانزیستوری کسکود و دو تقویت کننده عملیاتی شامل فیدبک تشکیل شده است که اثرات ولتاژ انحراف تقویت کننده عملیاتی بر روی ولتاژ ارجاع، عدم تطبیق جریان آیینه ای PMOS و مدولاسیون کانال آن را کاهش می دهد. یک مدار راه اندازی با ساختار جریان خود بایاس و نشانگر ولتاژ چند نقطه ای به کار گرفته شده است تا مدار BGR درست عمل کند. در نهایت یک مدار هسته DAC پلکانی دو مقاومتی به کار گرفته شده تا یک سیگنال ولتاژ خروجی صحیح به تقویت کننده عملیاتی بافر بدهد. مدار ارایه شده با پروسه CSMC 0.5 µm 5V 1P4M ساخته شده است. میزان غیر خطی بون تفاضلی (DNL) اندازه گیری شده برای ولتاژ خروجی در دمای اتاق کم تر از 0.45 LSB است و غیرخطی بودن انتگرالی (INL) کم تر از 1.5 LSB است که 3.5mW از 5V منبع ولتاژ را مصرف می کند. DNL و INL در -55°C و 125°C به همراه بحث درباره امکان بهبود دقت DNL و INL در طراحی های آینده نشان داده شده است.