تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله مبدل دیجیتال به آنالوگ مبتنی بر ارجاع گاف انرژی با انحراف کم – نشریه هینداوی

عنوان فارسی: یک مبدل دیجیتال به آنالوگ جدید مبتنی بر ارجاع گاف انرژی با انحراف کم
عنوان انگلیسی: A New Digital to Analog Converter Based on Low-Offset Bandgap Reference
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 11 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 17
سال انتشار : 2017 نشریه : هینداوی - Hindawi
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 6842 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.82Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، سیستم های الکترونیک دیجیتال و مکاترونیک
مجله: مجله مهندسی برق و کامپیوتر - Journal of Electrical and Computer Engineering
دانشگاه: مدرسه هوانوردی و فضانوردی، دانشگاه ژجیانگ، چین
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر : ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر : ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

1- معرفی

2- طراحی کلی مدار DAC

3- طراحی مدار BGR

4- طراحی مدار راه انداز

5- طراحی مدار هسته DAC

6- نتایج اندازه گیری و تحلیل

7- نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

This paper presents a new 12-bit digital to analog converter (DAC) circuit based on a low-offset bandgap reference (BGR) circuit with two cascade transistor structure and two self-contained feedback low-offset operational amplifiers to reduce the effects of offset operational amplifier voltage effect on the reference voltage, PMOS current-mirror mismatch, and its channel modulation. A Start-Up circuit with self-bias current architecture and multipoint voltage monitoring is employed to keep the BGR circuit working properly. Finally, a dual-resistor ladder DAC-Core circuit is used to generate an accuracy DAC output signal to the buffer operational amplifier. The proposed circuit was fabricated in CSMC 0.5 ?m 5 V 1P4M process. The measured differential nonlinearity (DNL) of the output voltages is less than 0.45 LSB and integral nonlinearity (INL) less than 1.5 LSB at room temperature, consuming only 3.5 mW from a 5 V supply voltage. The DNL and INL at −55∘ C and 125∘ C are presented as well together with the discussion of possibility of improving the DNL and INL accuracy in future design.

نمونه متن ترجمه

این مقاله مدار یک مبدل دیجیتال به آنالوگ(DAC)  جدید 12 بیتی مبتنی بر ارجاع گاف انرژی با انحراف کم (BGR) را ارایه می کند که در آن از دو ساختار ترانزیستوری کسکود و دو تقویت کننده عملیاتی شامل فیدبک تشکیل شده است که اثرات ولتاژ انحراف تقویت کننده عملیاتی بر روی ولتاژ ارجاع، عدم تطبیق جریان آیینه ای PMOS و مدولاسیون کانال آن را کاهش می دهد. یک مدار راه اندازی با ساختار  جریان خود بایاس و نشانگر ولتاژ چند نقطه ای به کار گرفته شده است تا مدار BGR درست عمل کند. در نهایت یک مدار هسته DAC پلکانی دو مقاومتی به کار گرفته شده تا یک سیگنال ولتاژ خروجی صحیح به تقویت کننده عملیاتی بافر بدهد. مدار ارایه شده با پروسه CSMC 0.5 µm 5V 1P4M ساخته شده است. میزان غیر خطی بون تفاضلی (DNL) اندازه گیری شده برای ولتاژ خروجی در دمای اتاق کم تر از 0.45 LSB است و غیرخطی بودن انتگرالی (INL) کم تر از 1.5 LSB است که 3.5mW از 5V منبع ولتاژ را مصرف می کند. DNL و INL در -55°C و 125°C به همراه بحث درباره امکان بهبود دقت DNL و INL در طراحی های آینده نشان داده شده است.

محصولات مشابه