ترجمه مقاله ضرب کننده امپدانسی جدید قابل کنترل با CMOS با ضریب تقویت کنندگی بزرگ - نشریه هینداوی

قیمت خرید این محصول

۹۶,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

یک ضرب کننده امپدانسی جدید قابل کنترل با CMOS با ضریب تقویت کنندگی بزرگ

عنوان انگلیسی

A New CMOS Controllable Impedance Multiplier with Large Multiplication Factor

صفحات مقاله فارسی

11

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2017

نشریه

هینداوی - Hindawi

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

7522

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، سیستم های قدرت، مهندسی الکترونیک، مهندسی کنترل

مجله

قطعات الکترونیکی فعال و منفعل - Active and Passive Electronic Components

دانشگاه

دانشگاه صنعتی امیرکبیر، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم و صنعت ایران

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

فهرست مطالب

1- معرفی
2- ضرب کننده امپدانس ارایه شده
3- نتایج شبیه سازی
4- تحلیل غیر ایده آل
4-1 تحلیل پایداری
5- کاربرد
6- نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

This paper presents a new compact controllable impedance multiplier using CMOS technology. The design is based on the use of the translinear principle using MOSFETs in subthreshold region. The value of the impedance will be controlled using the bias currents only. The impedance can be scaled up and down as required. The functionality of the proposed design was confirmed by simulation using BSIM3V3 MOS model in Tanner Tspice 0.18 ?m TSMC CMOS process technology. Simulation results indicate that the proposed design is functioning properly with a tunable multiplication factor from 0.1- to 100-fold. Applications of the proposed multiplier in the design of low pass and high pass filters are also included.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

در این مقاله یک ضرب کننده فشرده امپدانسی قابل کنترل با تکنولوژیCMOS ارایه شده است. طراحی بر اساس استفاده از قانون ترا خطی (translinear) با استفاده از ترانزیستور ماسفت در ناحیه زیر آستانه انجام شده است. مقدار امپدانس فقط با استفاده از جریان بایاس کنترل می شود. امپدانس می تواند بر حسب نیاز افزایش یا کاهش داده شود. عملکرد طراحی ارایه شده با استفاده از شبیه سازی در مدل BSIM3V3MOS در تکنولوژی پروسه مدار مجتمع Tanner Tspice 0.18 ?mTSMC اثبات می شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که طراحی ارایه شده به خوبی با ضریب تقویت قابل تنظیم از 0.1 تا 100 برابر عمل می کند. کاربرد ضرب کننده ارایه شده در طراحی فیلترهای پایین گذر و بالا گذر نیز آورده شده است.