ترجمه مقاله تقویت کننده توان کلاس F توان بالا 0.8-2.7GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی - نشریه هینداوی

قیمت خرید این محصول

۱۰۸,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

طراحی یک تقویت کننده توان کلاس F توان بالا 0.8-2.7GHz با تنظیم هارمونیکی و مدار جبران ساز پارازیتی

عنوان انگلیسی

Design of 0.8–2.7 GHz High Power Class-F Harmonic-Tuned Power Amplifier with Parasitic Compensation Circuit

صفحات مقاله فارسی

13

صفحات مقاله انگلیسی

9

سال انتشار

2017

نشریه

هینداوی - Hindawi

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

7614

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی

مجله

قطعات الکترونیکی فعال و منفعل - Active and Passive Electronic Components

دانشگاه

دانشکده الکترونیک و اطلاعات، دانشگاه هانگزو دایانزی، چین

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

فهرست مطالب

1- معرفی
2- تحلیل و طراحی تقویت کننده قدرت کلاس F
2-1جبران اثرات پارازیتی
2-2 کاهش هارمونیک های مرتبه بالا
3- ساخت و نتایج اندازه گیری
4- نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

The design, implementation, and measurements of a high efficiency and high power wideband GaN HEMT power amplifier are presented. Package parasitic effect is reduced significantly by a novel compensation circuit design to improve the accuracy of impedance matching. An improved structure is proposed based on the traditional Class-F structure with all even harmonics and the third harmonic effectively controlled, respectively. Also the stepped-impedance matching method is applied to the third harmonic control network, which has a positive effect on the expansion bandwidth. CGH40025F power transistor is utilized to build the power amplifier working at 0.8 to 2.7 GHz, with the measured saturated output power 20–50 W, drain efficiency 52%–76%, and gain level above 10 dB. The second and the third harmonic suppression levels are maintained at −16 to −36 dBc and −16 to −33 dBc, respectively. The simulation and the measurement results of the proposed power amplifier show good consistency

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

طراحی، ساخت و اندازه گیری یک تقویت کننده قدرت توان بالا HEMT از جنس GaN پهنای گسترده با بازدهی بالا ارایه شده است. اثرات پارازیتی بسته با استفاده از یک مدار جدید جبران ساز به طور عمده کاهش داده می شود تا دقت تطبیق امپدانس افزایش یابد. یک ساختار بهبود یافته بر اساس ساختار کلاس Fمرسوم ارایه شده است که شامل همه ی هارمونیک های زوج و هارمونیک سوم کنترل شده به طور موثری است. همچنین روش تطبیق امپدانس stepped impedance به شبکه کنترل هارمونیک سوم اعمال شده است تا تاثیر مثبتی روی گسترده کردن پهنای باند داشته باشد. ترانزیستور قدرت CGH40025F برای ساختن تقویت کننده توان مورد استفاده قرار گرفته است که در فرکانس های 0.8-2.7GHz کار می کند و توان اشباع اندازه گیری شده 20-50W است و بازدهی درین 52%-76% است و سطح بهره بالای 10dB است. سطوح کاهش یافته هارمونیک دوم و سوم به ترتیب در -16 تا -36dBc و -16 تا -33dBc نگه داشته می شود. نتایج اندازه گیری شده و شبیه سازی تقویت کننده قدرت تطابق خوبی نشان می دهند.