تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

دانلود ترجمه مقاله نقش نفوذ لایه مرزی در رشد رسوبدهی بخار نانو ورقه های کالکوژنید

عنوان فارسی: نقش نفوذ لایه مرزی در رشد رسوبدهی بخار نانو ورقه های کالکوژنید: مورد GeS
عنوان انگلیسی: Role of Boundary Layer Diffusion in Vapor Deposition Growth of Chalcogenide Nanosheets: The Case of GeS
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 10 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 19
سال انتشار : 2012 نشریه : Acsnano
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 4623 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 3.88Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: فیزیک، شیمی و مهندسی مواد
گرایش های مرتبط با این مقاله: اتمی مولکولی، ذرات بنیادی، شیمی فیزیک، شیمی تجزیه، نانومواد، علوم و فناوری نانو، نانوشیمی و فیزیک کاربردی
مجله: انجمن شیمی آمریکا (American Chemical Society)
دانشگاه: بخش مهندسی و علوم مواد، گروه فیزیک، دانشکده مهندسی شیمی، دانشگاه ایالتی کارولینای شمالی، رالی
کلمات کلیدی: نانو ورقه ها، لایه مرزی، نفوذ محدود، رسوبدهی بخار، ترکیب لایه ای
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

نتایج و بحث

نتایج

نمونه متن انگلیسی

ABSTRACT

We report a synthesis of singlecrystalline two-dimensional GeS nanosheets using vapor deposition processes and show that the growth behavior of the nanosheet is substantially different from those of other nanomaterials and thin films grown by vapor depositions. The nanosheet growth is subject to strong influences of the diffusion of source materials through the boundary layer of gas flows. This boundary layer diffusion is found to be the rate-determining step of the growth under typical experimental conditions, evidenced by a substantial dependence of the nanosheet's size on diffusion fluxes. We also find that highquality GeS nanosheets can grow only in the diffusion-limited regime, as the crystalline quality substantially deteriorates when the rate-determining step is changed away from the boundary layer diffusion. We establish a simple model to analyze the diffusion dynamics in experiments. Our analysis uncovers an intuitive correlation of diffusion flux with the partial pressure of source materials, the flow rate of carrier gas, and the total pressure in the synthetic setup. The observed significant role of boundary layer diffusions in the growth is unique for nanosheets. It may be correlated with the high growth rate of GeS nanosheets, ∼35 μm/min, which is 1 order of magnitude higher than other nanomaterials (such as nanowires) and thin films.

نمونه متن ترجمه

چکیده: در این مقاله روش سنتز نانوورقه های GeS دو بعدی تک بلوری با استفاده از پروسه های رسوبدهی بخار را گزارش و نشان می دهیم رفتار رشد نانو ورقه اساساً با سایر مواد نانو و فیلم های نازک رشد کرده با رسوبدهی بخار تفاوت دارد. رشد نانوورقه تابع تاثیرات قوی نفوذ مواد منبع درلایه مرزی جریانات گازی می باشد. نفوذ لایه مرزی به عنوان مرحله تعیین کننده نرخ رشد تحت شرایط آزمایشی نمونه شناخته شده است، که وابستگی قابل توجه اندازه نانوورقه به شارنفوذ  گواه این مسئله می باشد. همچنین این گونه استنباط می کنیم که نانوورقه های GeS با کیفیت بالا تنها در رژیم نفوذ محدود توانایی رشد دارد، زیرا با تغییر مرحله تعیین کننده نرخ رشد از نفوذ لایه مرزی، کیفیت بلوری به طول قابل توجهی تحلیل می رود. در اینجا مدل ساده ای برای آنالیز دینامیک نفوذ در آزمایشات ارائه می کنیم. آنالیز پیشنهادی، همبستگی شهودی شار نفوذ با فشار جزئی مواد منبع، دبی گاز حامل، و فشار کل در راه اندازی سینتتیک را آشکار می سازد. نقش مهم مشاهده شده نفوذهای لایه مرزی در رشد، برای نانوورقه ها منحصر به فرد و بی نظیر است.