ترجمه مقاله مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۴۱,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

مدلسازی فشرده و اثرات اتصال در ترانزیستورهای لایه نازک

عنوان انگلیسی

Compact Modeling and Contact Effects in Thin Film Transistors

صفحات مقاله فارسی

29

صفحات مقاله انگلیسی

12

سال انتشار

2014

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

نوع مقاله

ISI

رفرنس

دارد ✓

پایگاه

اسکوپوس

کد محصول

9596

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است ✓

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است ☓

وضعیت ترجمه منابع داخل متن

درج نشده است ☓

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک و سیستم های قدرت

مجله

یافته ها در مورد دستگاه های الکترونیکی - TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

دانشگاه

گروه الکترونیک و فناوری کامپیوتر، دانشگاه گرانادا، اسپانیا

کلمات کلیدی

مدلسازی فشرده (Compact modeling)، اثرات اتصالی (contact effects)، مدلسازی اتصال ( contact modeling)، ترانزیستور لایه نازک آلی ((organic thin-film transistor (OTFT)، ترانزیستورهای آلی (organic transistors)، مدلسازی OTFT ، ترانزیستورهای لایه نازک (thin-film transistor)

doi یا شناسه دیجیتال

https://doi.org/10.1109/TED.2013.2282994

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1- مقدمه
2- ویژگیهای اتصال فلزی
A- توابع کار نیمه هادی و فلز
B- کیفیت اتصال و ناحیه نزدیک به بین وجهی
C- هندسه اتصال
D- ناحیه گذر(انتقال)
3- اثرات اتصال در OTFT ها
A- مدلهای اثرات اتصال
B- چه چیزی فراموش شده است؟
4- مدل فشرده برای ناحیۀ اتصال ترانزیستورهای OTFT
5- افزودن در یک مدل ترانزیستور OTFT
6- روش استخراج پارامتر
A- اهمیت یک مدل فشرده با اثرات اتصال
B- روش استخراجی ما
6- نتایج و بررسی ها
A- اثرات اندازۀ سازه
B- ترانزیستور دارای ناپایداری
C- اثرات دما
D- اثرات مانع یا حائل انرژی (Energy Barrier)
8- ایده هایی برای کارهای آینده
9- نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

A compact model for the current–voltage characteristics of organic thin-film transistors (OTFTs), which includes the effects of the contact regions, is proposed. Different physical and morphological aspects of contacts with organic or other emerging materials such as graphene, semiconducting dichalcogenides such as MoS2, or NW devices are described. The electrical behavior of the contacts is studied in OTFTs, and circuit models that describe them are reviewed. Two trends are observed in the current-voltage curves of the contacts of different OTFTs: linear and nonlinear, and different models are used to explain them. A unified model for the contact region that reproduces both trends and gathers the different physical and structural features of the contacts is developed. It is described by a single parameter and introduced in a generic analytical model for TFTs. The variability in OTFT structures, materials, and fabrication approaches gives rise to a strong variability in the values of the parameters of the model. In this regard, a characterization technique to determine the value of the parameters of the model from experimental data is also developed. Different physical tests are proposed to validate the results of the technique. The procedure is applied to recent experimental data for different pentacene-based transistors. The good agreement between the experimental data and our analytical results provides a way to relate the parameters of the model with the physical or geometrical origin of the contact effects in OTFTs.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
یک مدل فشرده برای تعیین ویژگیهای ولتاژ- جریان ترانزیستورهای لایه نازک آلی (OTFT) که در برگیرندۀ اثرات نواحی اتصال (contact regions) میباشد، پیشنهاد شد. حالات فیزیکی و ساختاری مختلف اتصالات با مواد آلی و سایر مواد نوظهور مثل گرافن، دی کالوژنیدها (dichalcogenide )ی نیمه هادی مثل MoS2 یا ابزار نانو سیمی (NW)، تشریح میگردند. رفتار الکتریکی اتصالات در ترانزیستورهای OTFT بررسی میشود و مدلهای مداری که آنها را تشریح میکنند مورد بررسی قرار میگیرند. دو روند در منحنیهای ولتاژ- جریان مشاهده میشوند: خطی (linear) و غیرخطی(nonlinear)، و مدلهای مختلفی برای تشریح آنها مورد استفاده قرار میگیرند. یک مدل یکپارچه شده برای ناحیۀ اتصال (یا ناحیۀ تماسcontact region) که هر دو روند را ایجاد میکند و ویژگیهای فیزیکی و ساختاری مختلف اتصالات در خود جای میدهد، توسعه داده میشود. این مدل بوسیلۀ یک پارامتر تشریح میشود و در یک مدل تحلیلی عمومی برای ترانزیستورهای لایه نازک(TFT) معرفی میگردد. تغییرپذیری در ساختارهای OTFT ، مواد و روشهای ساخت، منجر به انعطاف بسیار زیاد در مقادیر پارامترهای مدل میشود. در این رابطه، یک تکنیک تعیین ویژگی برای مشخص کردن مقدار پارامترهای مدل از داده های آزمایشی نیز توسعه داده میشود. تستهای فیزیکی مختلفی برای اعتبارسنجی نتایج تکنیک پیشنهاد میشوند. این روش روی داده های اخیر آزمایشی برای ترانزیستورهای بر پایۀ پنتاسن (pentacene-based transistors) اعمال میگردد. همخوانی خوب بین داده های آزمایشی و نتایج تحلیلی ما، راهی را برای ارتباط دادن پارامترهای مدل با منبع فیزیکی یا هندسی اثرات اتصالی در ترانزیستورهای OTFT فراهم میسازد.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق