دانلود رایگان مقاله انگلیسی محاسبات عددی فاکتور حفاظت فیزیکی ساختار های مختلف MOSFET در زمینه اشعه گاما - IEEE 2017

قیمت خرید این محصول

رایگان

دانلود مقاله انگلیسی سفارش ترجمه این مقاله

عنوان فارسی

محاسبات عددی فاکتور حفاظت فیزیکی ساختار های مختلف MOSFET در زمینه اشعه گاما

عنوان انگلیسی

Numerical computation of the physical shielding factor for different structures of MOSFET in gamma irradiation field

صفحات مقاله فارسی

صفحات مقاله انگلیسی

سال انتشار

2017

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

کد محصول

E7653

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق، فیزیک

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، فیزیک کاربردی

مجله

سی امین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک - 30th International Conference on Microelectronics

دانشگاه

Institute of nuclear sciences “VINČA” - University of Belgrade - Mike Petrovića - Belgrade - Serbia

برای سفارش ترجمه این مقاله با کیفیت عالی و در کوتاه ترین زمان ممکن توسط مترجمین مجرب سایت ایران عرضه؛ روی دکمه سبز رنگ کلیک نمایید.

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

چکیده

Abstract:

In this study conducted numerical experiments aimed to determine the physical shielding factors (PSF) for two different MOSFET structures. The purpose of this paper was to present the new possibilities of the Monte Carlo numerical simulations for interaction of gamma irradiation of 60Co and 137Cs with semiconductor devices that are often located as dosimeters together with complex electronics power systems. The transport of incident photon particles is simulated with Monte Carlo code FOTELP-2014. When kovar is used as a lid in the gamma radiation field, the implemented calculations show that the PSF values for the ESAPMOS RADFET structure are significantly higher than the PSF values for the standard MOSFET structure.