دانلود رایگان مقاله انگلیسی محاسبات عددی فاکتور حفاظت فیزیکی ساختار های مختلف MOSFET در زمینه اشعه گاما - IEEE 2017

عنوان فارسی
محاسبات عددی فاکتور حفاظت فیزیکی ساختار های مختلف MOSFET در زمینه اشعه گاما
عنوان انگلیسی
Numerical computation of the physical shielding factor for different structures of MOSFET in gamma irradiation field
صفحات مقاله فارسی
0
صفحات مقاله انگلیسی
4
سال انتشار
2017
نشریه
آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی
PDF
کد محصول
E7653
رشته های مرتبط با این مقاله
مهندسی برق، فیزیک
گرایش های مرتبط با این مقاله
مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، فیزیک کاربردی
مجله
سی امین کنفرانس بین المللی میکروالکترونیک - 30th International Conference on Microelectronics
دانشگاه
Institute of nuclear sciences “VINČA” - University of Belgrade - Mike Petrovića - Belgrade - Serbia
۰.۰ (بدون امتیاز)
امتیاز دهید
چکیده

Abstract:


In this study conducted numerical experiments aimed to determine the physical shielding factors (PSF) for two different MOSFET structures. The purpose of this paper was to present the new possibilities of the Monte Carlo numerical simulations for interaction of gamma irradiation of 60Co and 137Cs with semiconductor devices that are often located as dosimeters together with complex electronics power systems. The transport of incident photon particles is simulated with Monte Carlo code FOTELP-2014. When kovar is used as a lid in the gamma radiation field, the implemented calculations show that the PSF values for the ESAPMOS RADFET structure are significantly higher than the PSF values for the standard MOSFET structure.


بدون دیدگاه