دانلود پاورپوینت بهبود عملکردISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته

قیمت خرید این محصول

۵۶۰,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه

فرمت مقاله

پاورپوینت

قابلیت ویرایش

دارد

قابلیت پرینت

دارد

کد محصول

P4220

تعداد اسلایدها

تعداد شکل، نمودار و جداول

عنوان کامل

بهبود عملکردISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته

رشته های مربوط

مهندسی برق، سایبرنتیک پزشکی و مهندسی پزشکی

گرایشهای مربوط

بیوالکتریک، مهندسی پزشکی بالینی و مهندسی الکترونیک

این مقاله با فرمت پاورپوینت بوده و قابلیت ویرایش کامل دارد. پس از انجام خرید، بلافاصله محصول قابل دانلود میباشد.

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

فهرست

مقدمه
اثر بدن درISFET
طراحی رابط سنسور
نتایج و بحث
نتیجه گیری

بخشی از پاورپوینت

اثر بدن درISFET
ساختار ISFET شبیه به ترانزیستور MOS می باشد، با این تفاوت که از ایزولاتور یا مقره گیت رو باز یا غشا برای اندازه گیری غلظت یون منتخب در یک الکترولیت استفاده می کند مثلاً تغییرات در pH الکترولیت به خاطر فعالیت یونی در سطح میانی الکترولیت- ایزولاتور(مقره) تغییراتی درولتاژ آستانه ایجاد می کند. بنابراین، اندازه گیری ولتاژ آستانه ISFET به نسبت غلظت pH الکترولیت مستقیماً تغییر می کند. راه اندازی و فعالیت دستگاه یک ISFET از طریق شاخصه وابسته به pH و رفتار MOSFET استنباط می گردد.

خرید نسخه ورد این پاورپوینت

اگر مایل به تهیه مقاله کامل با فرمت ورد مقاله بهبود عملکردISFET با استفاده از تکنیک های مدار بهبود یافته هستید اینجا کلیک نمایید.

نکات

- تنها در فروشگاه اینترنتی ایران عرضه میتوانید قبل از خرید برای اطمینان از محتوای محصول، قسمتی از مقاله پاورپوینت را به طور رایگان دانلود کنید و در صورت رضایت خریداری نمایید.

- تمامی حقوق مادی و معنوی این محصول متعلق به گروه آموزشی ایران عرضه بوده و هرگونه انتشار این مقاله پاورپوینت به صورت انبوه بدون اخطار قبلی پیگرد قانونی در پی خواهد داشت.