ترجمه مقاله توصیف دینامیک فاصله کوچک رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه ایجاد کننده هیسترزیس - نشریه الزویر

قیمت خرید این محصول

۱۱۶,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

توصیف دینامیک فاصله کوچک ( تله) رابط در ترانزیستور های آلی نازک لایه، به عنوان مسئول ایجاد هیسترزیس

عنوان انگلیسی

Characterization of interface trap dynamics responsible for hysteresis in organic thin-film transistors

صفحات مقاله فارسی

صفحات مقاله انگلیسی

سال انتشار

2015

نشریه

الزویر - Elsevier

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

7072

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مهندسی الکترونیک و برق قدرت

مجله

الکترونیک ارگانیک - Organic Electronics

دانشگاه

گروه مهندسی الکترونیک و کامپیوتر، دانشگاه علم و صنعت هنگ کنگ

کلمات کلیدی

ترانزیستورهای فیلم نازک آلی، هیسترزیس، دامنه رابط، مشخصه

۰.۰ (هنوز امتیازی ثبت نشده است)

فهرست مطالب

چکیده
1.مقدمه
2. ساختار دستگاه و اندازه گیری های جامع گیت به صورت دو سویه
3. تعیین نرخ حبس بار
4. تعیین نرخ آزاد سازی بار
5. نتایج

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

In this paper, the current hysteresis of organic thin film transistors (OTFTs) formed by TIPS-Pentacene has been demonstrated by bi-directional gate-voltage scan and explained using the trapping and detrapping mechanism. The trapping and detrapping rates have been further verified by the gate-voltage sampling method and the channel charge pumping method. The validity of the methods to characterize interface states of OTFTs that lead to the hysteresis is justified. The two independent methods consistently reveal that the hole trapping and release rates at the interface between the channel of the OTFTs to the gate dielectric are asymmetric.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
در این مقاله ، هیسترزیس جریانی ترانزیستور های آلی نازک لایه ( OTFT ) ساخته شده با TIPS-Pentacene ، با استفاده از پویش های دو طرفه ولتاژ گیت نشان داده شده و با استفاده از روش های تله گذاری و یا رها سازی الکترون ها ، توضیح داده شده است. نرخ حبس و یا رها سازی نیز توسط نمونه گیری ولتاژ گیت و روش پمپ بار کانال ، تایید شده است. اعتبار روش ها برای توصیف وضعیت های سطح واسط OTFT ها که موجب هیسترزیس میشود نیز مورد بررسی قرار گرفته است. دو روش مستقل نیز بدون تناقض تایید میکنند که تله گذاری حفره ها و نرخ آزاد سازی در سطح رابط بین کانال OTFT به دی الکتریک گیت ، نا متقارن است.