تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله ضرب کننده امپدانسی جدید قابل کنترل با CMOS با ضریب تقویت کنندگی بزرگ – نشریه هینداوی

عنوان فارسی: یک ضرب کننده امپدانسی جدید قابل کنترل با CMOS با ضریب تقویت کنندگی بزرگ
عنوان انگلیسی: A New CMOS Controllable Impedance Multiplier with Large Multiplication Factor
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 11
سال انتشار : 2017 نشریه : هینداوی - Hindawi
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 7522 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.40Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، سیستم های قدرت، مهندسی الکترونیک، مهندسی کنترل
مجله: قطعات الکترونیکی فعال و منفعل - Active and Passive Electronic Components
دانشگاه: دانشگاه صنعتی امیرکبیر، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه علم و صنعت ایران
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

1- معرفی

2- ضرب کننده امپدانس ارایه شده

3- نتایج شبیه سازی

4- تحلیل غیر ایده آل

4-1 تحلیل پایداری

5- کاربرد

6- نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

This paper presents a new compact controllable impedance multiplier using CMOS technology. The design is based on the use of the translinear principle using MOSFETs in subthreshold region. The value of the impedance will be controlled using the bias currents only. The impedance can be scaled up and down as required. The functionality of the proposed design was confirmed by simulation using BSIM3V3 MOS model in Tanner Tspice 0.18 ?m TSMC CMOS process technology. Simulation results indicate that the proposed design is functioning properly with a tunable multiplication factor from 0.1- to 100-fold. Applications of the proposed multiplier in the design of low pass and high pass filters are also included.

نمونه متن ترجمه

در این مقاله یک ضرب کننده فشرده امپدانسی قابل کنترل با تکنولوژیCMOS  ارایه شده است. طراحی بر اساس استفاده از قانون ترا خطی (translinear) با استفاده از ترانزیستور ماسفت در ناحیه زیر آستانه انجام شده است. مقدار امپدانس فقط با استفاده از جریان بایاس کنترل می شود. امپدانس می تواند بر حسب نیاز افزایش یا کاهش داده شود. عملکرد طراحی ارایه شده با استفاده از شبیه سازی در مدل BSIM3V3MOS در تکنولوژی پروسه مدار مجتمع Tanner Tspice 0.18 ?mTSMC اثبات می شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که طراحی ارایه شده به خوبی با ضریب تقویت قابل تنظیم از 0.1 تا 100 برابر عمل می کند. کاربرد ضرب کننده ارایه شده در طراحی فیلترهای پایین گذر و بالا گذر نیز آورده شده است.