تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

دانلود ترجمه مقاله تقویت کننده تفاضلی تلفیقی تابش میدانی خلا نانو الماس – مجله IEEE

عنوان فارسی: تقویت کننده تفاضلی(دیفرانسیلی) تلفیقی تابش میدانی خلا نانو الماس
عنوان انگلیسی: Nanodiamond Vacuum Field Emission Integrated Differential Amplifier
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 14
سال انتشار : 2012 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 4417 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.70Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: برق، فیزیک و شیمی
گرایش های مرتبط با این مقاله: برق الکترونیک، اتمی مولکولی، شیمی فیزیک، شیمی آلی
مجله: دستگاه های الکترونی
دانشگاه: دپارتمان مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه واندربیلت، نشویل، آمریکا
کلمات کلیدی: تقویت کننده تفاضلی، مدار های تلفیقی، نانوالماس، ترانزیستور، تابش میدانی خلا
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

۱ مقدمه

۲ تولید تقویت کننده تفاضلی خلا ND

۳ تعیین خصوصیات و مدل سازی تقویت کننده های تفاضلی

۴ نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

The development of a novel vacuum differential amplifier (diff-amp) array employing vertically configured nanodiamond (ND) vacuum field emission transistors (ND-VFETs) on a single chip is presented. The diff-amp array is composed of a common ND emitter array integrated with partition gates and split anodes. An identical pair of ND-VFETs with wellmatched field emission transistor characteristics was fabricated by using a dual-mask well-controlled microfabrication process, involving a mold-transfer self-aligned gate–emitter technique in conjunction with ND deposition into the micropatterned molds in the active layer of a silicon-on-insulator substrate followed by gate partitioning to form diff-amp array. The ND-VFETs show gate-controlled modulation of emission with distinct cutoff, linear, and saturation regions. Signal amplification characteristics of the ND-VFET diff-amp are presented. A large common-moderejection ratio (CMRR) of 54.6 dB was measured for the diff-amp. The variation of CMRR performance with transconductance was examined, and the results were found to agree with the equivalent circuit model analysis. The accomplishment of this basic circuit building block, consisting of an integrated diff-amp, demonstrates the feasibility of using vacuum integrated circuits for practical applications, including high-radiation and temperature-tolerant space electronics.

نمونه متن ترجمه

چکیده

توسعه یک  تقویت کننده تفاضلی خلا جدید با استفاده از ترانزیستور های  تابش میدانی خلا نانوالماس با پیکر بندی عمودی (ND-VFETs)  بر روی یک تک تراشه در این مقاله بررسی شده است.یک جفت  مشابه  از ND-VFET با خصوصیات ترانزیستور تابش میدانی با استفاده از فرایند میکروفابریکیشن یا ریزتولید کنترل شده ساخته شد که در آن از یک روش  امیتر گیت خود تنظیم انتقال قالب  همراه با رسوب ND به قالب های ریز الگو  در لایه فعال سوبسترای سیلیکون بر روی عایق و  سپس پارتیشن بندی گیت به آرایه تقویت کننده تفاضلی استفاده شد. ND-VFETمدولاسیون یا تنظیم کنترل شده  گیت  تابش  را با  مناطق خطی و اشباع نشان داد. خصوصیات  تقویت سیگنال امپلی فایر های تفاضلی ND-VFET ارایه شده است. نسبت ردٌ مد-مشترک[سي ام آر آر ] یا  نسبت مقدار مؤثر ولتاژ تداخلي مد-مشترک  (CMRR)  به میزان 54.6 dB برای  تقویت کننده تفاضلی اندازه گیری شد. تغییرات عملکرد CMRR با  رسانایی متقابل بررسی شده و نتایج با تحلیل  مدل مدار معادل هم خوانی داشت. رسیدن به این  جزء اساسی مدار، که متشکل از یک تقویت کننده تفاضلی است نشان دهنده امکان استفاده از مدار های تلفیقی خلا برای کاربرد های عملی از جمله ابزار های الکترونیکی فضایی متحمل به دما و  تابش بالا است.