ترجمه مقاله ترانزیستورهای نانو لوله کربنی اثر-میدانی برای مدارهای دیجیتال عملکرد بالا - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۳۱,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

ترانزیستورهای نانو لوله کربنی اثر-میدانی برای مدارهای دیجیتال عملکرد بالا: تحلیل و مدلسازی DC نسبت به ساختار بهینه ترانزیستور

عنوان انگلیسی

Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for High-Performance Digital Circuits—DC Analysis and Modeling Toward Optimum Transistor Structure

صفحات مقاله فارسی

15

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2006

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

6158

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، سیستم های الکترونیک دیجیتال و مکاترونیک

مجله

نتایج و یافته ها در حوزه دستگاه های الکترونی

دانشگاه

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه پوردو، ایالات متحده آمریکا

کلمات کلیدی

ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی (CNFETs)، تجزیه و تحلیل DC، مدارهای عملکرد بالا، مدل سازی، حاشیه نویز، نوسان ولتاژ

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1-مقدمه
2-برآورد توان CNFETS: کاربرد هایی برای مقیاس گذاری تکنولوژی
3- استراتژی شبیه سازی
4-شبیه سازی بهینه CNFET-DC، حاشیه نویز، و نوسان ولتاژ
5-نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

Scaling of silicon technology continues while a research has started in other novel materials for future technology generations beyond year 2015. Carbon nanotubes (CNTs) with their excellent carrier mobility are a promising candidate. The authors investigated different CNT-based field effect transistors (CNFETs) for an optimal switch. Schottky-barrier (SB) CNFETs, MOS CNFETs, and state-of-the-art Si MOSFETs were systematically compared from a circuit/system design perspective. The authors have performed a dc analysis and determined how noise margin and voltage swing vary as a function of tube diameter and power-supply voltage. The dc analysis of single-tube SB CNFET transistors revealed that the optimum CNT diameter for achieving the best ION-to-IOFF ratio while maintaining a good noise margin is about 1 to 1.5 nm. Despite several serious technological barriers and challenges, CNTs show a potential for future high-performance devices as they are being researched.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده

مقیاس بندی فن آوری سیلیکونی در حالی ادامه دارد که تحقیقات روی سایر مواد جدید برای نسل های آینده تکنولوژی فراتر از سال 2015 آغاز شده است. نانولوله های کربنی (CNT ها) با تحرک حامل عالی خود، مورد امیدوار کننده ای هستند. نویسندگان ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر CNT مختلف (CNFETs) را برای سوئیچ بهینه بررسی کرده اند. شاتکی مانع (SB) CNFET ها، CNFET های MOS، و MOSFET های مدرن به طور سیستماتیک از دیدگاه طراحی مدار/سیستم مقایسه شدند. نویسندگان یک تحلیل DC انجام داده اند و چگونگی نوسان ولتاژ و حاشیه نویز را به عنوان تابعی از قطر لوله و منبع ولتاژ توان مختلف تعیین کرده اند. تجزیه و تحلیل DC ترانزیستورهای SB CNFET تک لوله نشان داد که قطر بهینه CNT برای تحقق بهترین نسبت Ion به Ioff در عین حفظ حاشیه نویز خوب، در حدود 1 تا 1.5 نانومتر است. با وجود موانع و چالش های تکنولوژی جدی متعدد، CNTها برای دیوایس های با عملکرد بالا در آینده پتانسیل نشان می دهند و هم اکنون در دست تحقیق می باشند.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق