ترجمه مقاله عدم برگشت پذیری حرارتی در قابلیت هدایت ورقه های ژرمانیوم نیترید و اکسی نیترید - نشریه الزویر

قیمت خرید این محصول

۲۹,۰۰۰ تومان

دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

عدم برگشت پذیری حرارتی در قابلیت هدایت ورقه های ژرمانیوم نیترید و اکسی نیترید

عنوان انگلیسی

Thermally induced irreversibility in the conductivity of germanium nitride and oxynitride films

صفحات مقاله فارسی

2018

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

21

نشریه

الزویر - Elsevier

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده و pdf

نوع مقاله

ISI

نوع نگارش

مقالات پژوهشی (تحقیقاتی)

نوع ارائه مقاله

ژورنال

پایگاه

اسکوپوس

ایمپکت فاکتور(IF) مجله

2.817 در سال 2018

شاخص H_index مجله

49 در سال 2018

شاخص SJR مجله

0.633 در سال 2018

شناسه ISSN مجله

1369-8001

شاخص Q یا Quartile (چارک)

Q2 در سال 2018

کد محصول

F1344

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است ✓

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است ☓

وضعیت ترجمه منابع داخل متن

درج ننشده است ☓

بیس

نیست ☓

مدل مفهومی

ندارد ☓

پرسشنامه

ندارد ☓

متغیر

ندارد ☓

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی مواد

گرایش های مرتبط با این مقاله

شناسایی و انتخاب مواد، متالوژی صنعتی

مجله

علوم مواد در پردازش نیمه هادی - Materials Science in Semiconductor Processing

دانشگاه

دانشکده علوم و فنون، بخش فیزیک، دانشگاه کامرونو، ایتالیا

کلمات کلیدی

نیترید ژرمانیوم، اکسی نیترید ژرمانیوم، تبرید حرارتی، هدایت پذیری الکتریکی

کلمات کلیدی انگلیسی

Germanium nitride - Germanium oxynitride - Thermal annealing - Electrical conductivity

doi یا شناسه دیجیتال

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.10.006

ترجمه این مقاله با کیفیت متوسط انجام شده است. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
مقدمه
روش آزمایش
نتایج
ثبات درجه حرارت ورقه های ته نشست شده
تبرید حرارتی در اتمسفر N2
بحث
نتیجه گیری ها

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

We report the evidence for irreversible changes in the conductivity, σ T( ), of a-Ge3Nx (3.7 4. < <x 6) and quasistoichiometric a-Ge2OyNx thin films occurring at T ≳ 630 K, under high vacuum conditions. We have found that σ T( ) curves not only depend on the material properties but also on the thermal history undertaken by films. The irreversibility in σ T( ), during heating in vacuum, is correlated to the transformation of the native GeO2 into volatile GeO. Thermal annealing in N2 atmosphere, on the contrary, results to extend film stability up to 973 K. At higher T, domes and pits are formed onto the film surface, due to the strong effusion of N-rich volatile species. Unstable N-Ge bonds can explain both the nitrogen thermodynamic instability and the Ge nano-crystallisation process occurring in a-Ge3Nx films, upon heating until 1023 K. Compared to a-Ge3Nx, quasi-stoichiometric aGe2OyNx is both more insulating and more stable upon heating up to 1023 K under N2 flow, that makes it a suitable passivating layer material for the fabrication of electronic devices.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
ما گزارش شواهدی از تغییرات غیرقابل برگشت را روی هدایت پذیری، σ(T)، ورقه های نازک (a-Ge3Nx (3.7<x< 4.6 و شبه استیوکیومتریک a-Ge2OyNx که در T ≳ 630 K تحت شرایط خلا بالا رخ داده است، گزارش کرده ایم. ما دریافته ایم که منحنی های σ(T) نه تنها به خصوصیت ماده بلکه به سابقه حرارتی انجام شده توسط ورقه ها هم بستگی دارند. قابلیت برگشت ناپذیری در σ(T)، طی حرارت دهی در خلا، با تغییرشکل GeO2 اصلی به GeO فرّار همبستگی دارد. تبرید حرارتی در اتمسفر N2، برعکس، منجر به بسط ثبات ورقه تا 973 K شده است. در T بالاتر، خلل و فرجی روی سطح ورقه تشکیل می شود، که به دلیل برون تراوی قوی گونه های فرّار غنی از N می باشد. پیوند بی ثبات N-Ge می تواند هم عدم ثبات ترمودینامیکی نیتروژن و هم فرایند نانوکریستالی Ge را که در ورقه های a-Ge3Nx رخ داده است به محض حرارت دهی تا دمای 1023K توضیح بدهد. در مقایسه با a-Ge3Nx، aGe2OyNx شبه استیوکیومتریک هم عایق پذیری بیشتری درد و هم ثبات بیشتری به محض گرمسازی تا 1023K تحت جریان N2 دارد که باعث می شود یک ماده لایه ای روکش مناسبی برای ساخت وسایل الکترونیک بشود.