ترجمه مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی نانوروبان گرافن با یک نیمه هادی - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۲۹,۰۰۰ تومان

دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

ترانزیستورهای اثر-میدانی تونل زنی نانوروبان گرافن با یک نیمه هادی و کانال نیمه فلزی ناهمگون

عنوان انگلیسی

Graphene Nanoribbon Tunneling Field-Effect Transistors With a Semiconducting and a Semimetallic Heterojunction Channel

صفحات مقاله فارسی

18

صفحات مقاله انگلیسی

8

سال انتشار

2012

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

ّ1003

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی

مجله

یافته ها در حوزه دستگاه های الکترونیکی - TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

دانشگاه

گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه ملی سنگاپور

کلمات کلیدی

گرافن، ناهمگون، ترانزیستورهای تونل زنی

ترجمه این مقاله با کیفیت متوسط انجام شده است. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. رویکردهای شبیه سازی
3. نتایج و بحث
A. اثر ابعاد منطقه HJ
B. اثر GC بر منطقه HJ
4. نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

We present a computational study of the device performance of graphene nanoribbon tunneling field-effect transistors (TFETs) with a heterogeneous channel. By varying the length and the energy bandgap (EG) of the heterogeneous region, the ON- and OFF-state currents (ION and IOFF) can be effectively optimized independently. Both semiconducting and semimetallic heterogeneous regions are studied to understand the effects of EG engineering on device behaviors. In addition, the effect of gate coverage (GC) over the heterogeneous region is also investigated. We found that device performance is greatly affected by the positioning of the gate to modify the region where band-to-band tunneling occurs. For a given ION/IOFF of eight orders, our results show that, for the semiconducting heterojunction, a higher ION can be obtained by having the gate partially covering the heterogeneous region. This is due to a combination of a short tunneling length and resonant states, which leads to an increase in carrier concentration for the tunneling mechanism. On the other hand, for the semimetallic case, a similar ION/IOFF is only attainable when the heterogeneous region is not covered by the gate. A large IOFF is observed for even small GC due to the valence electrons from the source traveling to the conduction bands of the semimetallic region, enhancing the carrier transport toward the drain. Our study highlights the device design consideration required when optimizing the device performance of heterojunction TFETs.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
ما یک مطالعه محاسباتی از عملکرد دستگاه ترانزیستورهای اثر-میدانی تونل زنی نانوروبان گرافن (TFETs) را با یک کانال ناهمگن ارائه نموده ایم. با تغییر طول و باندگپ انرژی EG از منطقه ناهمگن، جریان های حالت خاموش و روشن (ION و IOFF) را می توان به طور موثر به طور مستقل بهینه سازی نمود. هر دوی مناطق نیمه هادی و نیمه فلزی ناهمگن برای درک اثرات مهندسی EG بر رفتارهای دستگاه مورد مطالعه قرار می گیرند. علاوه بر این، اثر پوشش گیت (GC) بر منطقه ناهمگن نیز بررسی شده است. ما دریافتیم که عملکرد دستگاه تا حد زیادی توسط موقعیت گیت برای تغییر منطقه ای که در آن تونل زنی باند به باند رخ می دهد تحت تاثیر قرار می گیرد. برای یک ION/IOFF معین از هشت مرتبه، نتایج ما نشان می دهد که برای نیمه هادی ناهمگون، یک ION بالاتر را می توان با داشتن گیت پوشش دهنده جزئی منطقه ناهمگن به دست آورد. این ناشی از ترکیب طول تونل زنی کوتاه و حالات رزونانس است که برای مکانیسم تونل زنی منجر به افزایش در غلظت حامل می شود. از سوی دیگر، برای مورد نیمه فلزی، یک ION/IOFF مشابه تنها زمانی قابل دسترسی است که منطقه ناهمگن توسط گیت پوشش داده نمی شود.یک IOFF بزرگ برای GC حتی کوچک با توجه به الکترونهای ظرفیتی حرکت کننده از سورس به باندهای هدایت منطقه نیمه فلزی مشاهده می شود که انتقال حامل به سمت درین را افزایش می دهد. مطالعه ما ملاحظه طراحی دستگاه های مورد نیاز را در هنگام بهینه سازی عملکرد دستگاه TFETs ناهمگون برجسته می نماید.