دانلود ترجمه مقاله مسیریابی الکترومیگریشن آگاه با مدل سازی EM استرس – آگاه - مجله IEEE

قیمت خرید این محصول

۱۷,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

مسیریابی الکترومیگریشن آگاه برای مدارهای مجتمع سه بعدی با مدل سازی EM استرس – آگاه

عنوان انگلیسی

Electromigration-aware routing for 3D ICs with Stress-aware EM Modeling

صفحات مقاله فارسی

25

صفحات مقاله انگلیسی

8

سال انتشار

2012

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

3037

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق، مهندسی کامپیوتر و مهندسی فناوری اطلاعات

گرایش های مرتبط با این مقاله

معماری سیستم های کامپیوتری، شبکه های کامپیوتری، مهندسی الکترونیک و مدار مجتمع

مجله

کنفرانس بین المللی طراحی به کمک کامپیوتر (ICCAD)

دانشگاه

گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تگزاس

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
۱ مقدمه
۲ محرک
۳ مدل سازی EM استرس آگاه برای مدارهای مجتمع سه بعدی

A مدلسازی مهاجرت الکتریکی با ملاحظه فشار
B تولید نقشه افت فشار
C خاصیت هدایتی EM در مدارهای مجتمع سه بعدی
D مدل سازی جریان مستقیم معادل برای شبکه های متناوب
E ملاحظات حرارتی

۴ مسیریابی EM آگاه برای مدارهای مجتمع سه بعدی

A جریان کلی
B پیش بینی MTTF با کتابخانه EM
C ترتیب شبکه EM آگاه برای مسیریابی
D تابع هزینه برای مسیریابی پیچیده EM آگاه
E الگوریتم مسیریابی

۵ نتایج آزمایشی
۶ نتیجه گیری

نحوه خرید نسخه پاورپوینت این مقاله

اگر مایل به تهیه نسخه پاورپوینت مقاله مسیریابی الکترومیگریشن آگاه برای مدارهای مجتمع سه بعدی با مدل سازی EM استرس – آگاه هستید اینجا کلیک نمایید. همچنین برای خرید مقاله ورد از دکمه های زیر استفاده نمایید.

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

Electromigration (EM) has become a key reliability concern for nanometer IC designs. For 3D ICs, higher current density/temperature and TSV-induced thermal mechanical stress further exacerbate the EM issue compared to 2D ICs. In this paper, we analyze the root causes of EM for 3D IC signal nets, with consideration of current density, temperature, and TSV-induced thermal mechanical stress. We develop compact EM models for both DC and AC signal nets using detailed finite-element-analysis (FEA) and build EM library for meantime-to-failure (MTTF). For AC signal nets, we convert AC current into equivalent DC current and model EM with it. One unique property of EM in 3D ICs is that, depending on the current direction, TSV-induced stress may degrade or improve the MTTF, thus routing plays an important role for EM mitigation. We suggest EM-aware routing algorithms for 3D ICs for the first time to our best knowledge, guided by our stressaware EM modeling. Experimental result shows that our proposed approach improves EM-robustness of 3D IC benchmarks significantly, e.g., 66.4% less EM-violated grids with little sacrifice of conventional routing objectives.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
مهاجرت الکتریکی(EM) یک نگرانی کلیدی قابل اطمینان برای طراحی مدارهای مجتمع نانومتری شده است. برای مدارهای مجتمع سه بعدی، چگالی-دمای بالاتر و فشار مکانیکی حرارتی TSV-تهییج شده مسایل مهاجرت الکتریکی در مقایسه با مدارهای مجتمع دو بعدی را تحریک میکند. در این مقاله، ما ریشه مسبب ای-ام را در شبکه های سیگنال مدار مجتمع سه بعدی، با در نظر گرفتن چگالی جاری، دما، و فشار مکانیکی حرارتی TSV-تهییج شده را بررسی میکنیم. ما مدل های مهاجرت الکتریکی فشرده را برای هر دو شبکه سیگنال جریان مستقیم و متناوب با استفاده از تحلیل-عنصر-متناهی دارای جزئیات کامل، توسعه می دهیم و کتابخانه مهاجرت الکتریکی را برای میانگین زمان-برای-عدم موفقیت را می سازیم. برای شبکه های سیگنال جریان متناوب، ما جریان متناوب را به جریان مستقیم معادل با آن تبدیل می کنیم و مهاجرت الکتریکی را با آن مدل سازی می کنیم. یک خصوصیت بی نظیر برای مهاجرت الکتریکی در مدارهای مجتمع سه بعدی اینست که با توجه به مسیر جریان، فشار TSV-تهییج شده ممکن است MTTF را کاهش یا بهبود دهد، بنابراین مسیریابی نقش مهمی در کاهش مهاجرت الکتریکی بازی میکند. ما الگوریتم های مسیریابی EM-آگاه را برای مدارهای مجتمع سه بعدی برای اولین بار در دانش خود پیشنهاد می کنیم، که بوسیله مدل سازی EM استرس-آگاه ما هدایت می شود. نتایج آزمایشی نشان می دهد که راهکار پیشنهادی ما نیرومندی-EM محک های مدارهای مجتمع سه بعدی را تا حد زیادی بهبود می دهد برای مثال، 66.4 درصد شبکه های مختل شده-EM با قربانی کمتر اهداف مسیریابی قراردادی.