فرایند ساخت CMUT با ویفر سیلیکون با مقاومت پذیری پائین شروع می شود. ویفر سیلیکونی برای دستیابی به رسانایی بالا در سطح، به میزان زیادی دوپ می شود، که این امر باعث می شود بعدها به عنوان الکتروپائین CMUT عمل کند. سیلیکون چند بلوری ( پلی سیلیکون) توسط LPCVD رسوب و برای تشکیل لایه قربانی که کاواک را تعریف می کند الگوبرداری گردید.
سوراخ های مختلف اچ ، به روش خشک در غشای نیترید سیلیکون اچ می شوند تا بدین طریق مسیری جهت اچ کردن انتخابی لایه پلی سیلیون قربانی ، برای هیدروکسید پتاسیم (KOH) ایجاد شود. در این مرحله، انتخاب پذیری اچ خیس مهم می باشد
