دانلود ترجمه مقاله فسفرن ماده دو بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل

قیمت خرید این محصول

۴۱,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

فسفرن: ماده ۲ بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل

عنوان انگلیسی

Phosphorene: A New 2D Material with High Carrier Mobility

صفحات مقاله فارسی

22

صفحات مقاله انگلیسی

29

سال انتشار

2014

نشریه

arxiv

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

4062

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق، فیزیک و مهندسی کامپیوتر

مجله

ACS Nano

دانشگاه

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه پوردو، ایالات متحده

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

مقدمه
فسفرن: ماده 2 بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل
محاسبات ای بی اینیتیو
ساخت وسیله
نقش موانع Schottky درترانزیستورهای فسفرن

نحوه خرید نسخه پاورپوینت این مقاله

اگر مایل به تهیه نسخه پاورپوینت مقاله فسفرن: ماده ۲ بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل هستید اینجا کلیک نمایید. همچنین برای خرید مقاله ورد از دکمه های زیر استفاده نمایید.

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Phosphorene: A New 2D Material with High Carrier Mobility

Preceding the current interest in layered materials for electronic applications, research in the 1960’s found that black phosphorus combines high carrier mobility with a fundamental band gap.1 We introduce its counterpart, dubbed few-layer phosphorene, as a new 2D p-type material. Same as graphene2,3 and MoS2,4 phosphorene is flexible and can be mechanically exfoliated. We find phosphorene to be stable and, unlike graphene, to have an inherent, direct and appreciable band-gap that depends on the number of layers. Our transport studies indicate a carrier mobility that reflects its structural anisotropy and is superior to MoS2. At room temperature, our phosphorene field-effect transistors with 1.0 μm channel length display a high on-current of 194 mA/mm, a high hole field-effect mobility of 286 cm2/V·s, and an on/off ratio up to 104. We demonstrate the possibility of phosphorene integration by constructing the first 2D CMOS inverter of phosphorene PMOS and MoS2 NMOS transistors.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

فسفرن: ماده 2 بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل

اولویت علاقه فعلی به مواد لایه ای برای تحقیق کاربردهای اکترونیکی در دهه 1960 به این نتیجه رسید که فسفر سیاه ، تحرک پذیری بالای ناقل را با شکاف باند بنیادی ترکیب می کند. در اینجا همتایش به نام فسفرین چند لایه ، را به عنوان ماده 2 بعدی تیپ p جدید معرفی می کنیم. همانند گرافن و فسفرن انعطاف پذیر بوده و از لحاظ مکانیکی ورقه ورقه می باشد. در اینجا نشان می دهیم که فسفرن پایدار بوده و برخلاف گرافن دارای شکاف باند محسوس، مستقیم و ذاتی می باشد که به تعداد لایه ها بستگی دارد. مطالعات انجام شده روی انتقال تحرک پذیری حامل را نشان می دهند که بازتابی از ناهمسانگردی ساختارش بوده و برتر از می باشد. در دمای اتاق، ترانزیستورهای اثر میدانی فسفرن با طول کانال جریان بالای ، تحرک پذیری بالای اثر میدانی حفره و نسبت روشن /خاموش بودن تا حد نشان می دهند. در اینجا راجع به امکان ادغام فسفرن با ساخت اولین اینورتر CMOS 2 بعدی فسفرن و ترانزیستورهای توضیح می دهیم.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی کامپیوتر، دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فیزیک