ترجمه مقاله شبیه سازی عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایت بدون سرب – نشریه IEEE
مبلغ : 66800 تومان
سال انتشار : 2022
ترجمه مقاله مقاومت بهینه سازی شده زیرلایه سیلیکون از نوع p برای سلول خورشیدی HIT – نشریه الزویر
قیمت خرید این کالا
25,800 تومان
| عنوان فارسی: | مقاومت بهینه سازی شده زیرلایه سیلیکون از نوع p برای سلول خورشیدی HIT با حوزه پشت سطح آلومینیومی توسط شبیه سازی کامپیوتری |
| عنوان انگلیسی: | Optimized resistivity of p-type Si substrate for HIT solar cell with Al back surface field by computer simulation |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 5 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : 10 |
| سال انتشار : 2009 | نشریه : الزویر - Elsevier |
| فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
| کد محصول : 9238 | رفرنس : دارد ✓ |
| محتوای فایل : zip | حجم فایل : 1.31Mb |
| رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی انرژی |
| گرایش های مرتبط با این مقاله: انرژی های تجدیدپذیر و فناوری های انرژی |
| مجله: انرژی خورشیدی - Solar Energy |
| دانشگاه: آزمایشگاه فن آوری سلول خورشیدی، موسسه مهندسی برق، آکادمی علوم چین |
| کلمات کلیدی: سلول خورشیدی HIT. مقاومت زیرلایه. شبیه سازی |
| وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است ✓ |
| وضعیت ترجمه متون داخل جداول: ترجمه شده است ✓ |
| وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر : ترجمه نشده است ☓ |
| وضعیت ترجمه منابع داخل متن: ترجمه شده است ✓ |
| وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است ✓ |
| doi یا شناسه دیجیتال: https://doi.org/10.1016/j.solener.2008.11.007 |
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب
چکیده
1. مقدمه
2. ساختار سلول های خورشیدی و شبیه سازی
3. نتایج و بحث
4. نتیجه گیری
نمونه متن انگلیسی
1. Introduction
Silicon heterojunction (SHJ) solar cell called HIT (heterojunction with intrinsic thin-layer), developed by SANYO Ltd. in 1994 (Sawada et al., 1994), is produced by plasma enhanced chemical vapor deposition of thin hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layers on both sides of a high quality crystalline silicon (c-Si) wafer. Such novel solar cell can simultaneously realize an excellent surface passivation and a p–n junction formation. Its low-temperature processes (<200 C) can prevent the degradation of bulk quality that possibly happens in high-temperature cycling processes, and compared with conventional diffused cells, a much better temperature coefficient can be obtained with a higher open-circuit voltage (Voc) (Tucci et al., 2004; Voz et al., 2006; Xu et al., 2006). Hence, HIT solar cell has attracted more and more interests all over the world.
نمونه متن ترجمه
1. مقدمه
سلول خورشیدی سیلیکون ناهمگون (SHJ) به نام HIT (ناهمگون با لایه نازک ذاتی)، که توسط SANYO در سال 1994 توسعه یافته (Sawada و همکاران، 1994) است، توسط رسوب شیمیایی بخار پلاسمای افزایش یافته از لایه های سیلیکن نازک بی نظم هیدروژنه (a-Si:H) در هر دو طرف ویفر کریستالی با کیفیت بالا (c-Si) تولید می شود. چنین سلول های خورشیدی جدیدی به طور همزمان می توانند یک رویینگی سطح و تشکیل اتصال پیوند p-n را تحقق ببخشند. فرآیندهای دمای پایین آن می تواند از تخریب کیفیت حجمی که احتمالا در فرآیندهای چرخه زنی در دمای بالا اتفاق می افتد جلوگیری نماید، و در مقایسه با سلول های منتشر شده معمولی، ضریب دمای بسیار بهتر را می توان با یک ولتاژ مدار باز بالاتر به دست آورد (Tucci و همکاران، 2004؛.. Voz و همکاران، 2006؛ Xu و همکاران، 2006). از این رو، سلول خورشیدی HIT منافع بیشتر و بیشتری را در سراسر جهان جذب کرده است.
