ورود

عضویت

سبد خرید

ترجمه مقاله دیودهای ساطع کننده نور با چند چاه-کوانتوم با یک ترکیب InN درجه بندی - نشریه AIP

قیمت خرید این محصول

۳۰,۰۰۰ تومان

دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

دیودهای ساطع کننده نور با چند چاه-کوانتوم با یک ترکیب InN درجه بندی برای حذف نوترکیبی Auger

عنوان انگلیسی

InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with a grading InN composition suppressing the Auger recombination

صفحات مقاله فارسی

صفحات مقاله انگلیسی

سال انتشار

2014

رفرنس

دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله

نشریه

AIP

فرمت مقاله انگلیسی

pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش

فرمت ترجمه مقاله

pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش

فونت ترجمه مقاله

بی نازنین

سایز ترجمه مقاله

نوع مقاله

ISI

کد محصول

F1702

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه نشده است ☓

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است ☓

وضعیت ترجمه منابع داخل متن

درج نشده است ☓

ضمیمه

ندارد

بیس

نیست ☓

مدل مفهومی

ندارد☓

پرسشنامه

ندارد☓

متغیر

ندارد☓

رفرنس در ترجمه

در انتهای مقاله درج شده است

رشته و گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق، مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک

مجله

اسناد فیزیک کاربردی - PHYSICS

دانشگاه

گروه برق و الکترونیک ، گروه فیزیک و UNAM- انستیتوی علوم مواد و نانوتکنولوژی، دانشگاه بیلکنت، آنکارا ، ترکیه

doi یا شناسه دیجیتال

https://doi.org/10.1063/1.4891334

ترجمه این مقاله با کیفیت متوسط انجام شده است. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

In conventional InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs), thin InGaN quantum wells are usually adopted to mitigate the quantum confined Stark effect (QCSE), caused due to strong polarization induced electric field, through spatially confining electrons and holes in small recombination volumes. However, this inevitably increases the carrier density in quantum wells, which in turn aggravates the Auger recombination, since the Auger recombination scales with the third power of the carrier density. As a result, the efficiency droop of the Auger recombination severely limits the LED performance. Here, we proposed and showed wide InGaN quantum wells with the InN composition linearly grading along the growth orientation in LED structures suppressing the Auger recombination and the QCSE simultaneously. Theoretically, the physical mechanisms behind the Auger recombination suppression are also revealed. The proposed LED structure has experimentally demonstrated significant improvement in optical output power and efficiency droop, proving to be an effective solution to this important problem of Auger recombination.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

در دیودهای ساطع کننده-نورInGaN/GaN (LED ها)، چاه های کوانتومی InGaN نازک معمولاً برای کاهش اثر Stark کوانتومی (QCSE) که از قطبش قوی القا شده از میدان الکتریکی، از طریق الکترون ها و حفره های فضایی محدودکننده در حجم های نوترکیبی کوچک ایجاد می شوند. با این حال، این کار به ناچار, چگالی حامل در چاه های کوانتومی را افزایش می دهد که به نوبه خود موجب تشدید نوترکیبی Auger می شود, زیرا نوترکیبی Auger با توان سوم چگالی حامل مقیاس بندی می شود. در نتیجه، افت بهره وری نوترکیبی Auger به شدت عملکرد LED را محدود می کند. در اینجا، ما چاه های کوانتومی InGaN گسترده را با ترکیب InN با درجه بندی خطی در امتداد جهت رشد در ساختارهای LED سرکوب کننده نوترکیبی Auger و QCSE به طور همزمان پیشنهاد و نشان می دهیم. از لحاظ تئوری، مکانیسم فیزیکی در پشت سرکوب نوترکیبی Auger نیز نشان داد. ساختار LED پیشنهادی از نظر تجربی بهبود قابل توجهی را در قدرت خروجی نوری و افت کارایی نشان داده است که اثبات شده است که یک راه حل موثر برای این مشکل مهم نوترکیبی Auger است.