Flexible radio-frequency (RF) electronics require materials which possess both exceptional electronic properties and high-strain limits. While flexible graphene field-effect transistors (GFETs) have demonstrated significantly higher strain limits than FETs fabricated from thin films of Si and III-V semiconductors, to date RF performance has been comparatively worse, limited to the low GHz frequency range. However, flexible GFETs have only been fabricated with modestly scaled channel lengths. In this paper, we fabricate GFETs on flexible substrates with short channel lengths of 260 nm. These devices demonstrate extrinsic unity-power-gain frequencies, fmax, up to 7.6 GHz and strain limits of 2%, representing strain limits an order of magnitude higher than the flexible technology with next highest reported fmax.
الکترونیک فرکانس رادیویی منعطف (RF)، نیازمند موادی است که هم دارای خصوصیت الکترونی منحصر به فردی و هم محدودیت های فشر بالا هستند. در حالی که ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان منعطف (GFETs) ، محدودیت های فشار بالاتری را نسبت به FETs ساخته شده از لایه نازک نیمه رساناهای Si و III-V نشان داده اند. تا به امروز عملکرد RF ، محدود به محدوده ی فرکانس گیگاهرتز پایین، بدترین بوده است. با این حال، GFETs انعطاف پذیر، تنها با طول کانال متوسط ساخته شده است. در ین مقاله، ما GFETs را بر روی بسترهای منعطف با طول کانال 260 nm می سازیم. این دستگاه ها، فرکانس های واحد قدرت بهره برداری بیرونی را ، fmax، بالا تا 7.6 GHz و محدودیت های فشار %2، به نمایندگی محدودیت های فشار یک مقدار بالاتر از fmax گزارش شده نمایش می دهند.
