ترجمه مقاله ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان برای الکترونیک قابل انعطاف فرکانس رادیویی - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۲۹,۰۰۰ تومان

دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان برای الکترونیک قابل انعطاف فرکانس رادیویی

عنوان انگلیسی

Graphene Field-Effect Transistors for Radio-Frequency Flexible Electronics

صفحات مقاله فارسی

11

صفحات مقاله انگلیسی

5

سال انتشار

2015

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

F629

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، برق مخابرات، مخابرات میدان و موج، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی

مجله

مجله اجتماع دستگاه های الکترون - Journal of the Electron Devices Society

دانشگاه

گروه مهندسی مکانیک، دانشگاه کلمبیا، نیویورک، ایالات متحده آمریکا

کلمات کلیدی

ته نشست بخار شیمیایی (CVD)، FET، الکترونیک منعطف، گرافن، فرکانس رادیویی (RF)

کیفیت ترجمه این مقاله در سطح متوسط می باشد.

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
I. مقدمه
II ساخت دستگاه
III بحث و نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

ABSTRACT

Flexible radio-frequency (RF) electronics require materials which possess both exceptional electronic properties and high-strain limits. While flexible graphene field-effect transistors (GFETs) have demonstrated significantly higher strain limits than FETs fabricated from thin films of Si and III-V semiconductors, to date RF performance has been comparatively worse, limited to the low GHz frequency range. However, flexible GFETs have only been fabricated with modestly scaled channel lengths. In this paper, we fabricate GFETs on flexible substrates with short channel lengths of 260 nm. These devices demonstrate extrinsic unity-power-gain frequencies, fmax, up to 7.6 GHz and strain limits of 2%, representing strain limits an order of magnitude higher than the flexible technology with next highest reported fmax.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده

الکترونیک فرکانس رادیویی منعطف (RF)، نیازمند موادی است که هم دارای خصوصیت الکترونی منحصر به فردی و هم محدودیت های فشر بالا هستند. در حالی که ترانزیستورهای گرافنی متاثر از میدان منعطف (GFETs) ، محدودیت های فشار بالاتری را نسبت به FETs ساخته شده از لایه نازک نیمه رساناهای Si و III-V نشان داده اند. تا به امروز عملکرد RF ، محدود به محدوده ی فرکانس گیگاهرتز پایین، بدترین بوده است. با این حال، GFETs انعطاف پذیر، تنها با طول کانال متوسط ساخته شده است. در ین مقاله، ما GFETs را بر روی بسترهای منعطف با طول کانال 260 nm می سازیم. این دستگاه ها، فرکانس های واحد قدرت بهره برداری بیرونی را ، fmax، بالا تا 7.6 GHz و محدودیت های فشار %2، به نمایندگی محدودیت های فشار یک مقدار بالاتر از fmax گزارش شده نمایش می دهند.