ترجمه مقاله نقش ضروری ارتباطات 6G با چشم انداز صنعت 4.0
- مبلغ: ۸۶,۰۰۰ تومان
ترجمه مقاله پایداری توسعه شهری، تعدیل ساختار صنعتی و کارایی کاربری زمین
- مبلغ: ۹۱,۰۰۰ تومان
In zircon (ZrSiO4), four different Periodic Bond Chains (PBCs) can be described, i.e. [001], (100), (1/2 1/2 1/2 ) and (1/2, 1/2, 11/2). F faces which grow slowly according to a layer mechanism, are {100} and {011}. Calculation of attachment energies, which are supposed to be directly proportional to the growth rates, is performed in electrostatic point charge models, model I: Zr 4+ Si 4+ O 2-, model II: Zr 4+ Si 2+ O~ 5- and model III Zr 4+ Si~ . The theoretical growth form is short prismatic following {100} and is terminated by the dipyramid {011}. The lower the oxygen charge the more elongated is the crystal parallel to the c axis. The slice d011 can be defined either bounded by zirconium (db~01) or by silicate tetrahedra (doBll. As these slice boundaries differ in height of one half slice with thickness do22, and as these half slices d0A22 and dB22 are F faces, the growth of {011} may also take place by elementary growth layers of thickness do=. In that case the growth rates of COl 1} increase and the growth models are even more prismatic. The S form {031} could only be present on the theoretical growth form with formal charges, provided that the growth of {011} takes place with half slices dog2 and the adsorption of impurities establishes additional strong bonds parallel to its slice boundaries.
در زیرکون (ZrSiO4) چهار زنجیره پیوند دوره ای مختلف (PBCs) یعنی [001] ، <100> ، <1/2 1/2 1/2> و <1/2, 1/2, 1 1/2> را می توان توصیف کرد. وجوه F که مطابق با یک مکانیسم لایه ای به آهستگی رشد می کنند {100} و {011} هستند. محاسبه انرژی های الصاقی که فرض می شود تناسب مستقیمی با نرخ های رشد داشته باشند در مدل های بار نقطه ای الکترواستاتیک انجام می شود ، مدل I : ... ، مدل II : ... ، مدل III : ... . شکل رشد نظری به دنبال {100} منشوری کوتاه بوده و با {011} دو هرمی خاتمه می یابد. هر چه بار اکسیژن کمتر باشد بلور موازی با محور c کشیده تر می شود. تکه d011 را می توان محصور شده با زیرکون (dA001) یا با چهار وجهی سیلیکات (dB011) تعریف کرد. از آنجاییکه این مرزهای برش به اندازه ارتفاع یک نیم برش با ضخامت d022 تفاوت دارند و اینکه این نیم برش ها dA022 و dB022 وجوه F هستند ، رشد {011} می تواند با لایه های رشد اولیه ضخامت d022 نیز انجام شود. در آن مورد نرخ های رشد {011} افزایش یافته و مدل های رشد منشوری تر هستند. شکل S {031} تنها در شکل رشد نظری با بار های رسمی در شرایطی که رشد {011} با نیم برش های d022 رخ داده و جذب ناخالصی ها پیوندهای قوی اضافی موازی با مرزهای تکه آن ایجاد می کند قابل ارائه است.