ترجمه مقاله یک مرحله Class-G کارآمد برای سوئیچینگ برنامه های تقویت کننده توان RF – نشریه IEEE
مبلغ : 33800 تومان
سال انتشار : 2018
دانلود ترجمه مقاله مشخصات RF ترانزیستور CMOS
قیمت خرید این کالا
29,800 تومان
| عنوان فارسی: | مشخصات RF در ترانزیستور CMOS um ۰.۱۸ |
| عنوان انگلیسی: | RF Characteristics of 0.18um CMOS Transistors |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : 9 |
| سال انتشار : 2002 | فرمت مقاله انگلیسی : PDF |
| فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده | کد محصول : 4130 |
| محتوای فایل : zip | حجم فایل : 593.14Kb |
| رشته های مرتبط با این مقاله: فوتونیک، مهندسی برق و فیزیک |
| گرایش های مرتبط با این مقاله: فوتونیک، مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، سیستم های الکترونیک دیجیتال، برق مخابرات و شبکه های مخابراتی |
| مجله: مجله کره ای انجمن فیزیک |
| دانشگاه: دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه علم و صنعت کره جنوبی |
| وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است |
| وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است |
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب
۱ مقدمه
۲ اندازه‌گیری‌ها
۳ نتایج و بحث‌ها
۴ نتیجه
نمونه متن انگلیسی
INTRODUCTION
The strongly emerging wireless communication market needs device technologies that are capable of producing high product volumes at extremely low cost [1]. III-V compound semiconductor devices, which include MESFET’s, HEMT’s, and HBT’s, have been used in microwave electronic circuits because of good highfrequency performance [2]. However, these devices are limited to a specific area due to high fabrication cost. On the other hand, due to the continuous reduction of minimum channel length in CMOS technologies, CMOSs have become candidates for RF applications. By using CMOS devices in IF and RF modules in wireless communication systems, we can integrate the system in a single chip. Consequently, substantial research is in progress today to investigate and increase the performance of CMOS devices for RF applications. By using a layout optimization technique, which reduces the parasitic components, we can obtain good RF characteristics for MOSFETs [3].
نمونه متن ترجمه
مقدمه
بازار ارتباطات بی‌سیم نوظهور قوی نیازمند تکنولوژی وسایلی است که قابلیت حجم تولیدات بالا در هزینه فوق‌العاده پایین را دارند [1]. دستگاه‌های نیمه‌هادی ترکیب‌شده III-V، که شامل MOSFET، HEMT، و HBT، است در مدارهای الکترونیکی مایکروویو بدلیل عملکرد خوب فرکانس بالا استفاده‌شده است [2]. بااین حال، این وسایل به نواحی ویژه باتوجه به هزینه ساخت بالا محدود می‌شود. از طرفی دیگر، باتوجه به کاهش پیوسته حداقل طول کانال‌ها در تکنولوژی CMOS، CMOSبه یکی از کاندید‌های کاربردهای RFتبدیل شده‌است. با استفاده از وسایل CMOS در مدول‌های IF و RF در سیستم ارتباطات بی‌سیم، می‌توانیم سیستم را در تنها یک تراشه یکپارچه‌کنیم. در نتیجه، پژوهش‌های قابل توجه در پیشرفت‌های امروز برای بررسی و افزایش عملکرد وسایل CMOS برای کاربردهای RFاست. بااستفاده از تکنیک بهینه‌سازی طرح، که مولفه‌های پارازیت را کاهش می‌دهد، می‌توانیم خصیصه RF خوب را برای MOSFET بدست آوریم [3]. در این مقاله، فرکانس قطع (FT) و خصیصه حداکثر فرکانس نوسان (fmax) MOSFET با انواع طرح‌ها نشان داده‌شده است.
