ترجمه مقاله LDO مبتنی بر پمپ شارژ با امپدانس بالای پویا با ویژگی های شبیه LDO دیجیتال - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۵۴,۰۰۰ تومان

دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

یک LDO مبتنی بر پمپ شارژ با امپدانس بالای پویا با ویژگی های شبیه LDO دیجیتال برای دستیابی به FoM Sub-4-fs

عنوان انگلیسی

A Dynamically High-Impedance Charge-Pump-Based LDO With Digital-LDO-Like Properties Achieving a Sub-4-fs FoM

صفحات مقاله فارسی

33

صفحات مقاله انگلیسی

12

سال انتشار

2020

رفرنس

دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش

فونت ترجمه مقاله

بی نازنین

سایز ترجمه مقاله

14

نوع مقاله

ISI

نوع ارائه مقاله

ژورنال

پایگاه

اسکوپوس

ایمپکت فاکتور(IF) مجله

6.088 در سال 2022

شاخص H_index مجله

230 در سال 2023

شاخص SJR مجله

3.043 در سال 2022

شناسه ISSN مجله

0018-9200

شاخص Q یا Quartile (چارک)

Q1 در سال 2022

کد محصول

12572

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است ✓

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است ☓

وضعیت ترجمه منابع داخل متن

به صورت عدد درج شده است ✓

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است ✓

ضمیمه

ندارد ☓

بیس

نیست ☓

مدل مفهومی

ندارد ☓

پرسشنامه

ندارد ☓

متغیر

ندارد ☓

فرضیه

ندارد ☓

رفرنس در ترجمه

در انتهای مقاله درج شده است

رشته و گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق - مهندسی الکترونیک - مدارهای مجتمع الکترونیک - ابزار دقیق

کلمات کلیدی

آنالوگ کمکی (AA) - رگولاتور دیجیتال LDO - تنظیم کننده خروجی کم (LDO) - مدیریت توان - تنظیم کننده ولتاژ

کلمات کلیدی انگلیسی

Analog assisted (AA) - digital LDO - low-dropout (LDO) regulator - power management - voltage regulator

doi یا شناسه دیجیتال

https://doi.org/10.1109/JSSC.2019.2960004

فهرست مطالب

چکیده
1. معرفی
2. اساس معماری و عملکرد
3. تحلیل عملکرد
4. نکاتی درباره پایداری
5. پیاده سازی مداری
6. نتایج اندازه گیری
7. نتیجه گیری
منابع

تصاویر فایل ورد ترجمه مقاله (جهت بزرگنمایی روی عکس کلیک نمایید)

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
این مقاله یک رگولاتور با افت خروجی کمِ (LDO) رویداد-محورِ مبتنی بر پمپ شارژ با یک حلقه فیدبک امپدانس-بالایِ کوپلاژ ac شده (ACHZ) را معرفی می کند. با استفاده از حلقه ی ACHZ و تشخیص مداوم ناحیه مرده، LDO ارائه شده در طی گذراهای بار در کمتر از یک سیکل ساعت، پاسخ می دهد، بنابراین در یک جریان ساکن 4.9μA برای یک FOM زیر 4-fs، دارای پاسخ و زمان های نشست به ترتیب برابر با 6.9 و 65 نانو ثانیه است. ریپل خروجی برای دستیابی به یک دامنه پایدار اندازه گیری شده است که در طول 105000 × محدوده بار پایدار (μA-105mA1) LDO دارای مقدار کمتر از 15mV است. علاوه بر تمام این ویژگی ها، LDO پیشنهادی مزایای LDOهای دیجیتالی معمولی را نیز دربر دارد: قابل حمل بودن و قابلیت راه اندازی در یک ولتاژ تغذیه پایین.

2. اساس معماری و عملکرد
معماری LDO پیشنهادی در شکل 1 نشان داده شده است. برخلاف LDOهای دیجیتالی متداول که از آرایه های ترانزیستورهای توان PMOS استفاده می کنند، طرح پیشنهادی از یک ترانزیستور توان PMOS تکی، M1، استفاده می کند که توسط یک جفت پمپ شارژ راه اندازی می شود. پمپ های شارژ به نوبه خود توسط یک جفت مقایسه گر زمان-پیوسته مبتنی بر وارونگر دینامیکی یک درمیان سازی شده ی زمانی راه اندازی می شوند که این مقایسه گرها محدوده های تنظیمات بالا و پایین (VrefH و VrefL) یک ناحیه مرده را تنظیم می کنند. خازن CC از این طرف به آن طرف ترانزیستور توان M1 قرار گرفته است تا حلقه ACHZ را تشکیل دهد. علاوه بر یک جفت مقایسه کننده زمان-پیوسته که تنظیم ناحیه مرده را انجام می دهند، یک مقایسه کننده ی کلاکیِ کمکی برای مقایسه ولتاژ خروجی با Vref، که معمولا Vref طوری تنظیم می شود که در وسط ناحیه مرده باشد، استفاده شده است تا به کمک آن بتوان تشخیص داد که آیا ولتاژ خروجی از ولتاژ مرجع مطلوب بالاتر است یا پایین تر و بتوان دقت تنظیم را از طریق یک پمپ شارژِ تنظیم دقیق 1 بیتیِ کمکی بهبود داد.

اساس عملکرد LDO به صورت زیر است. وقتی که در حالت پایدار Vout در ناحیه ی مرده بین مرزها قرار دارد، پمپ شارژهای اصلی غیر فعال هستند (فعلا پمپ شارژ تنظیم دقیق را نادیده بگیرید)، و خروجی آن ها، VG، بالا است. هر شارژ باقی مانده ذخیره شده در CC و خازن پارازیتی CG ولتاژ گیت ترانزیستور توان و در نتیجه، جریان تولید شده توسط LDO را تعیین می کند. با کوپلاژ ac مستقیم Vout به VG از طریق خازن CC، حلقه ACHZ شکل می گیرد. چون این گره، در این حالت (هنگامی که پمپ های شارژ خاموش هستند) امپدانس بالایی دارد، در طی یک گذرای بار هر کاهشی در Vout، با تنظیم راندمان کوپلاژ CC/(CC + CG)، مستقیما به VG منتقل می شود. این بطور مستقیم ولتاژ گیت M1 را کاهش می دهد، در نتیجه جریان جبرانسازی تقریباً فوری (یعنی IMOS) از طریق ترانزیستورهای توان فراهم می شود، که همانطور که در قسمت قرمز نمودارها در شکل 2 نشان داده شده است به کوتاه شدن قابل توجه زمان پاسخ کمک می کند.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق