تلفن: 04142273781

ترجمه مقاله کنترل بازخورد آماری یک فرایند اچ پلاسما – نشریه IEEE

عنوان فارسی: کنترل بازخورد آماری یک فرایند اچ پلاسما
عنوان انگلیسی: Statistical Feedback Control of a Plasma Etch Process
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 11 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 28
سال انتشار : 1994 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 5601 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.57Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: شیمی و مهندسی صنایع
گرایش های مرتبط با این مقاله: شیمی پلیمر، شیمی کاربردی و بهینه سازی سیستم ها
مجله: یافته های بدست آمده در زمینه تولید نیمه هادی
دانشگاه: آزمایشگاه نیروی هوایی رایت و تکنولوژی میکرو الکترونیک DARPA
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

۱.پیشگفتار

۲.سناریوها و مدل‌های تجهیزات

راه اندازی آزمایشی

واکنش‌ها و روش‌های سنجش (یا اندازه‌گیری)

مدلبندی تجهیزات

۳.استراتژی کنترل

مدل مبتنی بر SQC و الگوی سازگاری

۴.آزمایش‌ها و نتایج

آزمایشات تایید SPC

نتایج

۵.نتیجه‌گیری

ضمیمه‌ی ۷

نمونه متن انگلیسی

Abstract

This paper presents the methodology developed for the automatic feedback control of a silicon nitride plasma etch process. The methodology provides an augmented level of control for semiconductor manufacturing processes, to the level that the operator inputs the required process quality characteristics (e.g. etch rate and uniformity values) instead of the desired process conditions (e.g., specific RF power, pressure, gas flows). The optimal equipment settings are determined from previously generated procesdequipment models. The control algorithm is driven by the in-situ measurements, using in-line sensors monitoring each wafer. The sensor data is subjected to Statistical Quality Control (SQC) to determine if deviations from the required process observable values can be attributed to noise in the system or are due to a sustained anomalous behavior of the equipment. Once a change in equipment behavior is detected, the process/equipment models are adjusted to match the new state of the equipment. The updated models are used to run subsequent wafers until a new SQC failure is observed. The algorithms developed have been implemented and tested, and are currently being used to control the etching of wafers under standard manufacturing conditions.

نمونه متن ترجمه

چکیده

در این مقاله روش توسعه یافته برای کنترل بازخورد خودکار یک فرایند سیلیکون نیترید پلاسما اچ ارائه می‌شود. این روش، یک سطح افزوده از کنترل برای فرایندهای تولید نیمه هادی را، به سطحی که اپراتور (عامل یا عملگر)، ویژگی‌های کیفی مورد نیاز فرایند (برای مثال، مقادیر یکنواختی و نرخ اچ) را به جای شرایط مورد نظر فرایند (برای مثال، قدرت RFِ خاص، فشار، جریان گاز) وارد می‌کند، فراهم می‌کند. تنظیمات بهینه‌ی تجهیزات از مدل‌های تجهیزات الکترونیکی از پیش تولید شده، تعیین می‌شوند. الگوریتم کنترل بوسیله‌ی سنجش‌های موقعیتی، با استفاده از نظارت حس‌گرهای روی خط در هر ویفر تعیین می‌شوند. داده‌های حسگر در معرض کنترل کیفی آماری (SQC) قرار می‌گیرند تا تعیین شود که آیا انحرافات از مقادیر قابل مشاهده‌ی فرایند را می‌توان به سر و صدا در سیستم نسبت داد یا به علت رفتار غیرعادی پایدار فرایند هستند. هنگامی که تغییری در رفتار تجهیزات کشف می‌شود، مدل‌های تجهیزات/فرایند برای مطابقت با حالت جدید تجهیزات تنظیم می‌شوند. مدل‌های بروز رسانی شده برای اجرای ویفرهای بعدی استفاده می‌شوند تا زمانیکه یک شکست SQC جدید مشاهده شود. الگوریتم‌های توسعه داده شده اجرا و آزمایش می‌شوند و اخیرا برای کنترل اچینگ (یا قلمزنی) ویفرها تحت شرایط استاندارد ساخت مورد استفاده قرار می‌گیرند.