تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

ترجمه مقاله مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر – نشریه IEEE

عنوان فارسی: مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر و توان سطح مدار تحت شرایط تغییر فرآیند
عنوان انگلیسی: A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 21
سال انتشار : 2013 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 6359 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.37Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: سیستم های الکترونیک دیجیتال، مدارهای مجتمع الکترونیک، مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک و بیوالکتریک
مجله: طراحی، اتوماسیون و تست در کنفرانس و نمایشگاه اروپا
دانشگاه: گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه ایلینوی اوربانا شامپاین
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

1) مقدمه

2. ساخت مدارهای دارای GNRFETها

الف. خواص و تکنیک‌های ساخت گرافین

ب. ساختار شبکه و معماری سطح مدار

3. مدلسازی مدارهای GNR

الف. مدل GNR تکی

1) محاسبه زیرباندها

2) یافتن پتانسیل کانال

3) یافتن بار کانال QCH

الف) تقریب نمایی

ب) تقریب پلکانی

ث) تقریب ترکیبی

د) محاسبه بار کانال QCH

.یافتن QCAP

خازن‌های اصلی

مدلسازی جریان

درنظرگیری زبری لبه

ب. مدل GNRFET کامل، Vias و اتصالات میانی

4. نتایج آزمایشگاهی

الف. صحت آزمایی مدل ترانزیستور

1) دستگاه پیش فرض

2) تغییر در پارامترهای طراحی

3) مقایسه با داده‌های اندازه گیری حاصل از GNRFETهای ساخته شده

ب. ارزیابی سطح مدار

1) تأثیر ولتاژ ورودی

2) تأثیر تغییر فرآیند

3) مقایسه عملکرد GNR و Si-CMOS

5. نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

This paper presents the first parameterized, SPICEcompatible compact model of a Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistor (GNRFET) with doped reservoirs that also supports process variation. The current and charge models closely match numerical TCAD simulations. In addition, process variation in transistor dimension, edge roughness, and doping level in the reservoir are accurately modeled. Our model provides a means to analyze delay and power of graphene-based circuits under process variation, and offers design and fabrication insights for graphene circuits in the future. We show that edge roughness severely degrades the advantages of GNRFET circuits; however, GNRFET is still a good candidate for low-power applications.

نمونه متن ترجمه

چکیده

این مقاله اولین مدل فشرده پارامتری شده سازگار با SPICE از یک ترانزیستور اثر میدانی نانوریبون گرافین (GNRFET) با منابع ناخالص شده را معرفی می‌کند که تغییر فرآیند را نیز پشتیبانی می‌کند. هم چنین، تغییر فرآیند در بعد ترانزیستور، زبری لبه و سطح ناخالص سازی در مخزن بدرستی مدل می‌شوند. مدل ما روشی برای تحلیل تأخیر و توان مدارهای پایه گرافینی تحت تغییر فرآیند ارائه می‌دهد و درکی از طراحی و ساخت برای مدارهای گرافینی در آینده عرضه می‌کند. ما نشان می‌دهیم که زبری لبه شدیداً از مزایای مدارهای GNRFET می‌کاهد، هرچند این مدارها هنوز منتخب خوبی برای کاربری‌های کم مصرف محسوب می‌شوند.

محصولات مشابه