ترجمه مقاله مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۳۵,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر و توان سطح مدار تحت شرایط تغییر فرآیند

عنوان انگلیسی

A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation

صفحات مقاله فارسی

21

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2013

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

6359

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

سیستم های الکترونیک دیجیتال، مدارهای مجتمع الکترونیک، مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک و بیوالکتریک

مجله

طراحی، اتوماسیون و تست در کنفرانس و نمایشگاه اروپا

دانشگاه

گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه ایلینوی اوربانا شامپاین

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1) مقدمه
2. ساخت مدارهای دارای GNRFETها
الف. خواص و تکنیک‌های ساخت گرافین
ب. ساختار شبکه و معماری سطح مدار
3. مدلسازی مدارهای GNR
الف. مدل GNR تکی
1) محاسبه زیرباندها
2) یافتن پتانسیل کانال
3) یافتن بار کانال QCH
الف) تقریب نمایی
ب) تقریب پلکانی
ث) تقریب ترکیبی
د) محاسبه بار کانال QCH
.یافتن QCAP
خازن‌های اصلی
مدلسازی جریان
درنظرگیری زبری لبه
ب. مدل GNRFET کامل، Vias و اتصالات میانی
4. نتایج آزمایشگاهی
الف. صحت آزمایی مدل ترانزیستور
1) دستگاه پیش فرض
2) تغییر در پارامترهای طراحی
3) مقایسه با داده‌های اندازه گیری حاصل از GNRFETهای ساخته شده
ب. ارزیابی سطح مدار
1) تأثیر ولتاژ ورودی
2) تأثیر تغییر فرآیند
3) مقایسه عملکرد GNR و Si-CMOS
5. نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

This paper presents the first parameterized, SPICEcompatible compact model of a Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistor (GNRFET) with doped reservoirs that also supports process variation. The current and charge models closely match numerical TCAD simulations. In addition, process variation in transistor dimension, edge roughness, and doping level in the reservoir are accurately modeled. Our model provides a means to analyze delay and power of graphene-based circuits under process variation, and offers design and fabrication insights for graphene circuits in the future. We show that edge roughness severely degrades the advantages of GNRFET circuits; however, GNRFET is still a good candidate for low-power applications.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
این مقاله اولین مدل فشرده پارامتری شده سازگار با SPICE از یک ترانزیستور اثر میدانی نانوریبون گرافین (GNRFET) با منابع ناخالص شده را معرفی می‌کند که تغییر فرآیند را نیز پشتیبانی می‌کند. هم چنین، تغییر فرآیند در بعد ترانزیستور، زبری لبه و سطح ناخالص سازی در مخزن بدرستی مدل می‌شوند. مدل ما روشی برای تحلیل تأخیر و توان مدارهای پایه گرافینی تحت تغییر فرآیند ارائه می‌دهد و درکی از طراحی و ساخت برای مدارهای گرافینی در آینده عرضه می‌کند. ما نشان می‌دهیم که زبری لبه شدیداً از مزایای مدارهای GNRFET می‌کاهد، هرچند این مدارها هنوز منتخب خوبی برای کاربری‌های کم مصرف محسوب می‌شوند.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق