ترجمه مقاله ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی جدید با دو عایق گیت مختلف - نشریه الزویر

قیمت خرید این محصول

۳۵,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

یک ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی جدید با دو عایق گیت (دریچه ‌ای) مختلف

عنوان انگلیسی

A novel graphene nanoribbon field effect transistor with two different gate insulators

صفحات مقاله فارسی

20

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2015

نشریه

الزویر - Elsevier

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

5548

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق، شیمی و فیزیک

گرایش های مرتبط با این مقاله

نانوشیمی، فیزیک کاربردی، نانوفیزیک، شیمی فیزیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، مهندسی برق گرایش مکاترونیک

مجله

فیزیک E - Physica - E

دانشگاه

گروه برق، پزشکی و مهندسی مکاترونیک، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، ایران

کلمات کلیدی

دو نوع مقره GNRFET، تنگابست، تابع عدم تعادل سبز (NEGF)، مدل دو بعدی FET

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. هندسه دستگاه
3. روش پیاده‌سازی
4. مدل دوبعدی
5. نتیجه‌گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

In this paper, a novel structure for a dual-gated graphene nanoribbon field-effect transistor (GNRFET) is offered, which combines the advantages of high and low dielectric constants. In the proposed Two Different Insulators GNRFET (TDI-GNRFET), the gate dielectric at the drain side is a material with low dielectric constant to form smaller capacitances, while in the source side, there is a material with high dielectric constant to improve On-current and reduce the leakage current. Simulations are performed based on self-consistent solutions of the Poisson equation coupled with Non-Equilibrium Green's Function (NEGF) formalism in the ballistic regime. We assume a tight-binding Hamiltonian in the mode space representation. The results demonstrate that TDI-GNRFET has lower Off-current, higher On-current and higher transconductance in comparison with conventional low-K GNRFET. Furthermore, using a topof-the-barrier two-dimensional circuit model, some important circuit parameters are studied. It is found that TDI-GNRFET has smaller capacitances, lower intrinsic delay time and shorter power delay product (PDP) in comparison with high-K GNRFET. Moreover, mobile charge and average velocity are improved in comparison with low dielectric constant GNRFET. The results show that the TDI-GNRFET can provide Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) and Subthreshold Swing near their theoretical limits.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
در این مقاله، یک ساختار جدید برای یک ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی دو دریچه‌ای (GNRFET) پیشنهاد می‌شود که مزایای ثابت‌های دی‌الکتریک زیاد و کم را ترکیب می‌کند. در GNRFET پیشنهادی با دو عایق مختلف (TDI-GNRFET)، دی‌الکتریک گیت در سمت درین ماده‌ای با ثابت دی‌الکتریک کم برای تشکیل ظرفیت‌های خازنی کوچک‌تر است، درحالی‌که در سمت سورس، ماده‌ای با ثابت دی‌الکتریک بالا به‌منظور افزایش جریان روشن (حالت On) و کاهش جریان نشتی وجود دارد. شبیه‌سازی‌ها بر اساس راه‌حل‌های خودسازگار معادله پواسون توأم با فرمول‌بندی (فرمالیسم) تابع گرین غیر تعادلی (NEGF) در رژیم بالستیکی انجام شده است. ما یک همیلتونی تنگ بست را در نمایش فضای حالت فرض می‌کنیم. نتایج نشان می‌دهد که TDI-GNRFET جریان خاموش (حالت Off) کم‌تر، جریان حالت روشن بیش‌تر و هدایت انتقالی بالاتری در مقایسه با GNRFET معمولی با K پایین دارد. علاوه براین، با استفاده از یک مدل مداری دوبعدی top-of-the-barrier، برخی پارامترهای مهم مدار موردمطالعه قرار می‌گیرند. ملاحظه می‌شود که TDI-GNRFET ظرفیت‌های خارنی کوچک‌تر، زمان تأخیر ذاتی کم‌تر و حاصلضرب تأخیر در توان (PDP) کوتاه‌تر در مقایسه با GNRFET با K بالا دارد. همچنین، بار متحرک و سرعت متوسط در مقایسه با GNRFET با ثابت دی‌الکتریک کم بهبود می‌یابد. نتایج نشان می‌دهد که TDI-GNRFET می‌تواند کاهش سد پتانسیل القاشده توسط درین (DIBL) و نوسان (سوئینگ) زیرآستانه در نزدیکی حدهای تئوری آنها را فراهم نماید.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی شیمی، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فیزیک