ترجمه مقاله یک مدل SCR فشرده جامع برای شبیه سازی مدار CMD ESD - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۳۳,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

یک مدل SCR فشرده جامع برای شبیه سازی مدار CMD ESD

عنوان انگلیسی

A COMPREHENSIVE COMPACT SCR MODEL FOR CDM ESD CIRCUIT SIMULATION

صفحات مقاله فارسی

7

صفحات مقاله انگلیسی

2

سال انتشار

2008

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

4860

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق و فیزیک

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک و مدارهای مجتمع الکترونیک

مجله

سمپوزیوم بین المللی قابلیت اطمینان فیزیک

دانشگاه

دانشکده مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه مرکزی فلوریدا، ایالات متحده آمریکا

فهرست مطالب

1- مقدمه
2- توسعه مدل فشرده
3- نتایج و بحث‌ها
4- نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

I. INTRODUCTION

The increased usage of automated manufacturing and testing equipment has led to environments that are more likely to have the presence of the charge device model (CDM) ESD, rather than the more well-known human body model (HBM). CDM events can easily reach several Amps within 1 ns and are accompanied by damped but fast oscillations, which makes the development of an accurate and compact model for CDM ESD devices very difficult. Silicon controlled rectifier (SCR) has long been used as a robust and area-efficient on-chip ESD protection device, but an SCR compact model for CDM ESD applications is not widely available. Juliano and Rosenbaum developed a model based on the Verilog-A coded behavior modeling to describe the SCR snapback [1], but a smoothing function has to be used to ensure continuity. Other SCR compact models built from a macromodel consisting of existing device models were intended for transmission line pulsing (TLP) or HBM responses and are not applicable for the simulation of circuits subject to the CDM stress [2]-[4]. In this paper, we seek to develop a comprehensive and accurate compact model for a high-holding, lowvoltage triggering SCR (HH-LVTSCR) [5], with special attentions given to accurately modeling the CDM-relevant operation states in order to simulate the response of complete I/O circuits under CDM stresses.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

1- مقدمه
استفاده فزاینده از تولیدات خودکار و تجهیزات تست، منجر به محیطی شده است که به احتمال زیاد، دارای ESD مدل دستگاه شارژ (CDM) بیشتری نسبت به مدل معروف‌تر بدن انسان است. رخداد CDM می‌تواند به سادگی به چندین تقویت کننده در مدت 1 نانوثانیه رسیده و منجر به از کارافتادگی سیله یا نوسان سریع آن شود که توسعه یک مدل فشرده و دقیق برای دستگاه‌های CDM ESD را بسیار دشوار می‌کند. یکسوکننده کنترل شده سیلیکنی (SCR) مدت‌های مدیدی به عنوان یک دستگاه حفاظت ESD نصب شده بر روی تراشه و از نظر ناحیه مؤثر استفاده می‌شد اما یک مدل فشرده SCR برای کاربردهای CDM ESD به طور گسترده دردسترس نیست. جولیانو و روزنبام یک مدل مبتنی بر مدلسازی رفتار کدشده وریلاگ را جهت توصیف بهبود SCR توسعه داده‌اند [1] اما یک تابع هموارسازی باید جهت تضمین پیوستگی استفاده شود. دیگر مدلهای فشرده SCR از یک مدل بزرگتر ساخته است که شامل مدلهای دستگاه‌های موجودی است که برای پالس دهی خطوط انتقال یا پاسخ HBM استفاده شده و برای مدارهای شبیه سازی مدارهای مربوط به اعمال CDM قابل اجرا است [2-4]. در این مقاله، ما به دنبال توسعه یک مدل فشرده دقیق و فراگیر برای یک SCR فعال سازی ولتاژ پایین (HH-LVTSCR) با توجهات خاص داده شده به مدلسازی دقیق حالت‌های عملیات نسبی CDM به منظور شبیه سازی پاسخ مدارهای ورودی /خروجی کامل تحت اعمال CDM است.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فیزیک