ترجمه مقاله نقش ضروری ارتباطات 6G با چشم انداز صنعت 4.0
- مبلغ: ۸۶,۰۰۰ تومان
ترجمه مقاله پایداری توسعه شهری، تعدیل ساختار صنعتی و کارایی کاربری زمین
- مبلغ: ۹۱,۰۰۰ تومان
In the millimeter-wave frequency range, electromagnetic (EM) effects can significantly influence a device behavior. As the core of modern communication systems, active devices such as field effect transistors (FETs) require up-to-date models to accurately integrate such effects, especially in terms of noise performance since most of communication systems operate in noisy environments. Furthermore, to keep low-noise amplification over a wide frequency band, the transistor noise resistance Rn must be substantially reduced to make the system insensitive to impedance matching. Since this can be realized through large gate-width devices, a novel large gate-width FET noise model is proposed which efficiently integrates EM wave propagation effects, one of the most important EM effects in mm-wave frequencies.
در محدوده فرکانس موج میلی متری، تاثیرات الکترومغناطیسی (EM) رفتار دستگاه را بطور قابل توجهی تحت تاثیر می گذارند. بعنوان هسته سیستم های ارتباطاتی مدرن، دستگاه های فعالی مانند ترانزیستورهای اثر میدان (FETها) به مدل های به روز نیاز دارند تا بصورت دقیقی این تاثیرات را ادغام کنند، بخصوص در شرایط عملکرد نویز، چرا که بیشتر سیستم های ارتباطاتی در محیط های نویزدار فعالیت می کنند. علاوه بر این، برای تقویت نویز پائین در طول یک باند فرکانسی وسیع، مقاومت Rn باید بطور قابل ملاحظه ای کاهش یابد تا عدم حساسیت سیستم به تطبیق امپدانس ایجاد شود. از آنجا که این را می توان از طریق دستگاه های عرض گیت بزرگ تحقق بخشید، یک مدل نویز FET عرض گیت بزرگ ارائه می شود که بطور کارآمدی اثرات انتشار موج EM، یکی از مهمترین اثرات EM در فرکانس های موج میلی متری، را ادغام می-کند.