دانلود ترجمه مقاله ضرب کننده چهار ربعی آنالوگ با توان و ولتاژ پایین در وارون سازی - مجله اشپرینگر

دانلود ترجمه مقاله ضرب کننده چهار ربعی آنالوگ با توان و ولتاژ پایین در وارون سازی - مجله اشپرینگر
قیمت خرید این محصول
۱۷,۰۰۰ تومان
دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی
عنوان فارسی
بررسی ضرب کننده چهار ربعی آنالوگ با توان و ولتاژ پایین ورودی حجمی جدید در وارون سازی ضعیف
عنوان انگلیسی
A novel bulk-input low voltage and low power four quadrant analog multiplier in weak inversion
صفحات مقاله فارسی
14
صفحات مقاله انگلیسی
7
سال انتشار
2013
نشریه
اشپرینگر - Springer
فرمت مقاله انگلیسی
PDF
فرمت ترجمه مقاله
ورد تایپ شده
رفرنس
دارد
کد محصول
3285
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول
ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول
ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه
به صورت عکس، درج شده است
رشته های مرتبط با این مقاله
مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله
مهندسی الکترونیک، مدار مجتمع، افزاره های میکرو نانو الکترونیک، برق مخابرات و سیستم‌های مخابراتی
مجله
مدارات آنالوگ یکپارچه و پردازش سیگنال
دانشگاه
گروه مهندسی الکترونیک و ارتباطات، موسسه ملی فناوری آسام، کشور هند
کلمات کلیدی
ضرب کننده آنالوگ، مدارهای MOS ورودی حجمی، ضرب چهار ربعی، طرح IC آنالوگ کم توان و کم ولتاژ، ترانزیستور MOS، وارون سازی ضعیف
۰.۰ (بدون امتیاز)
امتیاز دهید
فهرست مطالب
چکیده
۱ مقدمه
۲ عملیات ضرب کننده پیشنهاد شده
۱ ۲ MOS در وارونسازی ضعیف با پایانه حجمی فعال
۲ ۲ مدار تقریب توانی
۳ ۲ توضیح عددی ضرب کننده پیشنهاد شده
۳ فرمولاسیون نابرابری و عدم انطباق ضرب کننده
۴ نتایج
۵ نتیجه گیری
نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی
Abstract

A new four quadrant voltage mode bulk input analog multiplier is presented .The proposed multiplier is designed to operate in weak inversion. Multiplication is done by driving the bulk terminals of the MOS devices which offers linear dynamic range of ±80 mV. The simulation shows, it has a linearity error of 5.6 %, THD of nearly 5 % and -3 dB band width of 221 kHz. Total power consumption is very low i.e. 714 nW. The circuit operates at a supply voltage of 0.5 V and is designed using 180 nm CMOS technology. It is suitable for low power bioelectronics and neural applications.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی
چکیده
در این مقاله یک ضرب کننده آنالوگ ورودی حجمی مدل ولتاژ چهار ربعی جدید معرفی شده است. ضرب کننده پیشنهادی برای فعالیت درمد وارون سازی ضعیف طراحی شده است. عملیات ضرب از طریق تحریک پایانه های حجمی وسایل MOS انجام می شود که رنج دینامیکی خطی عرضه می کنند. شبیه سازی نشان می دهد، دارای خطای خطینگی 6. 5 درصد، THD تقریباً 5 درصد و پهنای باند -3dB 221kHz می باشد. مصرف توان یا قدرت کل بسیار پائین می باشد، به عبارتی 714nW. مدار با ولتاژ عرضه 0.5V کار کرده و با استفاده از فناوری طراحی شده است. این مدار برای برنامه های عصبی و بیوالکترونیکی کم توان مناسب می باشد.

بدون دیدگاه