ترجمه مقاله ماژول های کوچک فوتوولتاییک CMOS ولتاژ بالا با قابلیت روشنایی 12.5 ولتی - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۲۹,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

ماژول های کوچک فوتوولتاییک CMOS ولتاژ بالا با قابلیت روشنایی 12.5 ولتی

عنوان انگلیسی

High-Voltage 12.5-V Backside-Illuminated CMOS Photovoltaic Mini-Modules

صفحات مقاله فارسی

9

صفحات مقاله انگلیسی

4

سال انتشار

2018

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

304

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، مهندسی کنترل، ابزار دقیق

مجله

مجله اجتماع دستگاه های الکترون - Journal of the Electron Devices Society

دانشگاه

گروه فوتونیک، دانشگاه ملی سون یات سن، تایوان

کلمات کلیدی

نیمه رسانای اکسید فلزی مکمل (CMOS)، دستگاه فوتوولتاییک با قابلیت روشنایی ازپشت، حذف موضعی زیرلایه، فرآیند سیستم های میکرو الکترومکانیکی (MEMS)

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. طراحی و آزمایش ها
3. نتایج و بحث
4. نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

ABSTRACT

In this paper, we employed a one-step localized substrate removal (LSR) process to fabricate a backside-illuminated CMOS photovoltaic (PV) mini-module suitable for high-voltage and low-power applications. LSR can be considered an upgrade of multichip module technology, by providing a 50-µm physical gap between on-chip PV cells for electrical isolation, while avoiding the need for time-consuming pick-and-place steps. A proof-of-concept PV module achieved open-circuit voltage of 12.5-V and µA-scale short-circuit current within a small form factor (3.13 V/mm2). The fabrication of this PV mini-module is based on standard microelectronics manufacturing/packaging processes, thereby ensuring easy integration with other microelectronics for self-powered systems.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
در این مقاله یک فرآیند تک مرحله ای حذف زیرلایه (لایه فرعی) موضعی (LSR) را برای ساخت ماژول کوچک فوتوولتاییک (PV) از نوع CMOS با قابلیت روشنایی از پشت را به کار گرفته ایم که مناسب کاربردهای ولتاژ بالا و توان پایین است. LSR به عنوان ارتقاء فناوری ماژول چند تراشه ای در نظر گرفته می شود و خلاء فیزیکی 50 میکرومتری را بین سلول های PV واقع بر روی تراشه برای عایق سازی الکتریکی فراهم می کند در حالی که از نیاز به مراحل زمان گیر برداشت و قرارگیری اجتناب می کند. اثباتی از مفهوم ماژول PV به ولتاژ مدار باز 12.5 ولت و جریان اتصال کوتاه در حد میکرو آمپر در یک ضریب شکل دهی کوچک (3.13 V/mm2) دست یافته است. ساخت این ماژول کوچک PV برمبنای فرآیندهای استاندارد ساخت/ بسته بندی میکرو الکترونیک است و در نتیجه یکپارچگی با دیگر عناصر میکرو الکترونیک تضمین می شود.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق