ترجمه مقاله شبیه‌ سازی ترانزیستور با اثر میدان آلی با شبکه‌ عصبی مصنوعی

قیمت خرید این محصول

۲۷,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

مدلسازی و شبیه‌ سازی ترانزیستور با اثر میدان آلی (OFET) با استفاده از شبکه‌ های عصبی مصنوعی

عنوان انگلیسی

Modeling and Simulation of Organic Field Effect Transistor (OFET) Using Artificial Neural Networks

صفحات مقاله فارسی

12

صفحات مقاله انگلیسی

10

سال انتشار

2014

نشریه

IJAST

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

5635

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

دانشگاه

گروه الکترونیک، دانشگاه باتنه، الجزایر

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

کلمات کلیدی

ترانزیستور با اثر میدان آلی (OFET)، نیمه‌هادی های آلی (OSC)، طول کانال، مکانيسم پول-فرنکل، شبکه‌های خنثی مصنوعی (ANN)

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، هوش ماشین و رباتیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک و مکاترونیک

مجله

مجله بین المللی علوم و تکنولوژی پیشرفته

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1. مقدمه
2. شبیه سازی
2. 1 المان محدود بر اساس شبیه سازی اطلس
2. 2 شبکه‌های عصبی مصنوعی
3. نتیجه گیری

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکيده
در این مقاله مدل‌سازی و شبیه‌سازی یک ترانزیستور با اثر ميدان آلی از جنس پنتاسن ولتاژ پایین(OFET) ارائه شده است، که براساس داده های تجربی با استفاده از یک عنصر یکپارچه محدود و روش شبکه های عصبی مصنوعی (ANN) است. ما یک مدل ترانزیستور با اثر ميدان آلی بر اساس شبکه‌های عصبی ارائه داده‌ايم، این روش امکان ارائه يک روش آسان براي مدل‌سازي دستگاه‌ها را بدون دستیابی به شناخت عميق فیزیک دستگاه فراهم مي‌سازد. شبیه‌سازی نوع عنصر محدود با استفاده از شبیه ساز اطلس D -2 تحقق مي‌يابد، هم نتايج اطلس و هم نتایج به دست آمده از مدل‌سازی تقريباً با نتایج تجربی منتشر مطابقت دارند.

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

This paper presents the modeling and simulation of a low voltage pentacene organic field effect transistor (OFET), which is based on experimental data using an integrated finite element and artificial neural networks (ANN) approach. We present a model of organic field effect transistor based on neural network, this approach allows an easy way to model devices without acquiring a deep knowledge the device physics. The finite element type simulation is realized using 2-D Atlas simulator, both Atlas and obtained modeling results agree approximately with the published experimental results.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق