ترجمه مقاله مدل سازی دینامیک سیستم چشمی در سه بعدی – نشریه IEEE
مبلغ : 28800 تومان
سال انتشار : 2003
ترجمه مقاله آنالیز مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز ۱/ƒ در MOSFET ها – نشریه IEEE
قیمت خرید این کالا
33,800 تومان
| عنوان فارسی: | آنالیزهای مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در MOSFET ها تحت عملیات سیگنال بزرگ |
| عنوان انگلیسی: | Physics-Based Analysis and Simulation of 1/f Noise in MOSFETs Under Large-Signal Operation |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 9 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : 22 |
| سال انتشار : 2010 | نشریه : آی تریپل ای - IEEE |
| فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
| کد محصول : 5702 | رفرنس : دارد |
| محتوای فایل : zip | حجم فایل : 1.55Mb |
| رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله: مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مدارهای مجتمع الکترونیک |
| مجله: نتایج بدست آمده در حوزه دستگاه های الکترونی |
| دانشگاه: موسسه ریز الکترونیک و تئوری مدار ، دانشگاه آلمان |
| کلمات کلیدی: نویز Cyclostationary، مدل نویز 1/f هوگ، نویز 1/f MOSFETs |
| وضعیت ترجمه عناوین تصاویر: ترجمه شده است |
| وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر: ترجمه نشده است |
| وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است |
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب
چکیده
1.مقدمه
2.آنالیز مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در موسفت ها
3.نتایج عددی
الف )عملیات سیگنال کوچک با مدل تله ی اکسیدی
ب.عملیات LS با مدل تله ی اکسیدی
ج.عملیات LS با مدل تجربی Hooge
4.نتایج
نمونه متن انگلیسی
Abstract
This paper presents a study on 1/f noise in MOSFETs under large-signal (LS) operation, which is important in CMOS analog and RF integrated circuits. The flicker noise is modeled with noise sources as a perturbation in the semiconductor equations employing McWhorter’s oxide-trapping model and Hooge’s empirical 1/f noise model. Numerical results are shown for 1/f noise in the MOSFET in both small-signal operation and periodic LS operation. It is shown that McWhorter’s model does not give any significant 1/f noise reduction when the oxide traps are distributed uniformly in energy and space. In contrast, Hooge’s model gives almost 6-dB 1/f noise reduction as the gate OFF-voltage decreases below the threshold voltage. It is found that both models fall short of explaining the noise reduction by more than 6 dB, as observed experimentally in the literature. However, when only one active oxide trap is considered, which generates random telegraph signal (RTS) in drain current, the LS operation gives more than 6-dB low-frequency RTS noise reduction.
نمونه متن ترجمه
چکیده
این مقاله یک مطالعه روی نویز 1/ƒ در MOSFET ها را تحت عملیات سیگنال کوچک (LS) ، بررسی میکند که در مدار های آنالوگ CMOS و مدار های یکپارچه RF ، مهم است.نویز فلیکر، با استفاده از منابع نویزی، به عنوان یک اخلال در معادلات نیمه رسانا با استفاده از مدل تله ی اکسید McWhorter و مدل تجربی Hooge نویز 1/ƒ ، مدل سازی شد.نتایج عددی، برای نویز 1/ƒ در MOSFET ها ، در عملیات سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ متناوب، نشان داده شد.نشان داده شده است که مدل McWhorter ، هیچ کاهش نویز محسوسی برای نویز 1/ƒ ، هنگامی که تله های اکسیدی به صورت یکنواخت در انرژی و مکان توزیع شده است، به دست نمیدهد.در مقابل، مدل Hooge ، تقریبا ، 6 dB کاهش نویز 1/ƒ را ، هنگامی که ولتاژ خاموش گیت، ، به کمتر از سرحد ولتاژ کاهش میابد، ایجاد میکند.مشخص شد که هر دو مدل نمیتوانند کاهش نویزی بیشتر از 6 dB را توضیح دهند، که به صورت آزمایشی در مقالات مشاهده شده است.اما، هنگامی که فقط یک تله ی اکسیدی فعال در نظر گرفته میشود، که باعث ایجاد سیگنال تلگراف اتفاقی در جریان میشود ( RST) ، عملیات LS ، باعث کاهش نویز RTS بیش از 6 dB فرکانس پایین را به دست میدهد.
