ترجمه مقاله منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۲۷,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر

عنوان انگلیسی

Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime

صفحات مقاله فارسی

11

صفحات مقاله انگلیسی

4

سال انتشار

2000

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

9193

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، برق قدرت و مهندسی الکترونیک

دانشگاه

گروه مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه کالیفرنیا، برکلی

فهرست مطالب

چکیده
مقدمه
ساخت دستگاه
خواص دستگاه
مدل انتقال
تجزیه و تحلیل / بحث
نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Introduction

The single[1] and double[2] gate thin-body transistors are promising device designs for the 5-50nm gate-length regime. One of their major challenges is the large series resistance of the thin body layer. In this paper we present a method for reducing this resistance with the use of dual low-barrier silicide source/drains: PtSi for PMOS, and ErSi1.7 for NMOS, Fig. 1. In previous studies, bulk-Si silicide source/drain MOSFETs[3] have exhibited large leakage currents. Our use of a thin body reduces leakage by orders of magnitude. This symbiotic relationship between leakage suppression by the thin-body structure and the low series resistance of the silicide source/drain structure results in a promising device technology that can be scaled down to 15nm gate-length. It also provides an alternative to the elevated source/drain approach as a general method for reducing series resistance of thin-body designs.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

مقدمه
تنها [1] و [2] گیت ترانزیستور بدنه نازک نوید طرح دستگاه برای رژیم با طول گیت 5-50 مانومتر است. یکی از چالش های عمده ، مقاومت زیادی لایه بدنه نازک است. در این مقاله ما یک روش برای کاهش این مقاومت با استفاده از دو مانع منبع سیلیسید / درین : PtSi for PMOS ، و ErSi1.7 for NMOS است، شکل 1. در مطالعات قبلی، منبع سیلیسید / MOSFET [3] جریان نشتی بزرگ به نمایش گذاشته اند. استفاده ما از بدنه نازک باعث کاهش نشت می شود. این رابطه همزیستی بین سرکوب نشت توسط ساختار بدنه نازک و مقاومت از نتایج ساختار ظرفیتی منبع سیلیکون / درین در یک فن آوری دستگاه است که می تواند طول گیت 15نانومتر کوچک شود. همچنین یک جایگزین برای رویکرد منبع / درین بالا به عنوان یک روش کلی برای کاهش مقاومت از طرح های بدنه نازک فراهم می کند.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق