تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

دانلود ترجمه مقاله فسفرن ماده دو بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل

عنوان فارسی: فسفرن: ماده ۲ بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل
عنوان انگلیسی: Phosphorene: A New 2D Material with High Carrier Mobility
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 29 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 22
سال انتشار : 2014 نشریه : arxiv
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 4062 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.12Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق، فیزیک و مهندسی کامپیوتر
مجله: ACS Nano
دانشگاه: دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه پوردو، ایالات متحده
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

مقدمه

فسفرن: ماده 2 بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل

محاسبات ای بی اینیتیو

ساخت وسیله

نقش موانع Schottky درترانزیستورهای فسفرن

نمونه متن انگلیسی

Phosphorene: A New 2D Material with High Carrier Mobility

Preceding the current interest in layered materials for electronic applications, research in the 1960’s found that black phosphorus combines high carrier mobility with a fundamental band gap.1 We introduce its counterpart, dubbed few-layer phosphorene, as a new 2D p-type material. Same as graphene2,3 and MoS2,4 phosphorene is flexible and can be mechanically exfoliated. We find phosphorene to be stable and, unlike graphene, to have an inherent, direct and appreciable band-gap that depends on the number of layers. Our transport studies indicate a carrier mobility that reflects its structural anisotropy and is superior to MoS2. At room temperature, our phosphorene field-effect transistors with 1.0 μm channel length display a high on-current of 194 mA/mm, a high hole field-effect mobility of 286 cm2/V·s, and an on/off ratio up to 104. We demonstrate the possibility of phosphorene integration by constructing the first 2D CMOS inverter of phosphorene PMOS and MoS2 NMOS transistors.

نمونه متن ترجمه

فسفرن: ماده 2 بعدی جدید با تحرک پذیری بالای حامل

اولویت علاقه فعلی به مواد لایه ای برای تحقیق کاربردهای اکترونیکی در دهه 1960 به این نتیجه رسید که فسفر سیاه ، تحرک پذیری بالای ناقل را با شکاف باند بنیادی ترکیب می کند. در اینجا همتایش به نام فسفرین چند لایه ، را به عنوان ماده 2 بعدی تیپ p جدید معرفی می کنیم. همانند گرافن و  فسفرن انعطاف پذیر بوده و از لحاظ مکانیکی ورقه ورقه می باشد. در اینجا نشان می دهیم که فسفرن پایدار بوده و برخلاف گرافن دارای شکاف باند محسوس، مستقیم و ذاتی می باشد که به تعداد لایه ها بستگی دارد. مطالعات انجام شده روی انتقال تحرک پذیری حامل را نشان می دهند که بازتابی از ناهمسانگردی ساختارش بوده و برتر از می باشد. در دمای اتاق، ترانزیستورهای اثر میدانی فسفرن با طول کانال جریان بالای ، تحرک پذیری بالای اثر میدانی حفره و نسبت روشن /خاموش بودن تا حد نشان می دهند. در اینجا راجع به امکان ادغام فسفرن با ساخت اولین اینورتر CMOS 2 بعدی فسفرن و ترانزیستورهای توضیح می دهیم.

نحوه خرید نسخه پاورپوینت این مقاله