ترجمه مقاله اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم - نشریه IEEE

قیمت خرید این محصول

۱۵,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود

عنوان انگلیسی

Impact of Threading Dislocations on the Design of GaAs and InGaP/GaAs Solar Cells on Si Using Finite Element Analysis

صفحات مقاله فارسی

14

صفحات مقاله انگلیسی

7

سال انتشار

2013

نشریه

آی تریپل ای - IEEE

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

5881

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق و مهندسی انرژی

گرایش های مرتبط با این مقاله

فناوری های انرژی، انرژی تجدیدپذیر، مهندسی الکترونیک و افزاره های میکرو و نانو الکترونیک

مجله

مجله فتوولتائیک - JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS

دانشگاه

آزمایشگاه انرژی پایدار و دستگاه های پیشرفته، مهندسی برق و کامپیوتر، فناوری ویرجینیا، بلکسبرگ، ایالات متحده آمریکا

کلمات کلیدی

III–V، مواد نیمه هادی، طول عمر حامل بار، سلول های فوتوولتایک، مدلسازی دستگاه نیمه هادی

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
مدل شبیه سازی
نتایج و تشریح مطالب
الف. سلول 1J GaAs روی سیلیسیم
ب. سلول 2J InGaP/GaAs روی سیلیسیم
ث. تطبیق جریان در سلول 2J InGaP/GaAs روی سیلیسیم
د. اثر بازترکیب سطحی بر سلول 2J InGaP/GaAs
نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

We investigate the impact of threading dislocation densities on the photovoltaic performance of single-junction (1J) n+ /p GaAs and dual-junction (2J) n+ /p InGaP/GaAs solar cells on Si substrate. Using our calibrated model, simulation predicts an efficiency of greater than 23% for a 1J GaAs cell on Si at AM1.5G spectrum at a threading dislocation density of 106 cm−2 . The design of a metamorphic 2J InGaP/GaAs solar cell on Si was optimized by tailoring the 2J cell structure on Si to achieve current matching between the subcells, taking into account a threading dislocation density of 106 cm−2 . Finally, we present a novel and an optimized 2J InGaP/GaAs solar cell design on Si at a threading dislocation density of 106 cm−2 , which exhibited a theoretical conversion efficiency of greater than 29% at AM1.5G spectrum, indicating a path for viable III–V multijunction cell technology on Si.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
ما اثر تراکم های جابجاشدگی شیار را بر عملکرد فوتوولتایک سلول های خورشیدی با اتصال منفرد (1j) n+ /p GaAs و اتصال دوگانه (2j) n+ /p InGaP/GaAs روی زیرلایه سیلیسیمی مورد بررسی قرار می دهیم. با استفاده از مدل کالیبراسیون ما، شبیه سازی، بازدهی بیش از 23% را برای یک سلول 1J GAAS روی سیلیسیم در طیف AM1.5G در یک تراکم جابجایی شیار 10-6cm-2 پیش بینی می کند. طرح سلول خورشیدی متامورفیک 2J InGaP/GaA روی سیلسیم با مناسب سازی ساختار سلول 2J روی سیلیسیم بهینه می شود تا با درنظرگیری یک تراکم جابجاشدگی شیار 106cm-2 تطبیق جریان بین سلول های فرعی انجام شود. در نهایت، ما یک طرح سلول خورشیدی 2J InGaP/GaAs جدید و بهینه را روی سیلیسیم در یک تراکم جابجاشدگی شیار 10-6cm-2 ارائه می دهیم که یک بازدهی تبدیل تئوریک بیش از 29% را در طیف AM1.5G را نشان داده است که نشان دهنده یک مسیر برای فناوری سلول چنداتصالی تدوام پذیر III–V روی سیلیسیم می باشد.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی انرژی