ترجمه مقاله سلول ترمو فتوولتائیک جدید دارای چاه کوانتومی برای ولتاژ مدار باز بالا - نشریه الزویر

قیمت خرید این محصول

۲۷,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

سلول ترمو- فتوولتائیک جدید دارای چاه کوانتومی برای ولتاژ مدار باز بالا

عنوان انگلیسی

A novel thermo-photovoltaic cell with quantum-well for high open circuit voltage

صفحات مقاله فارسی

11

صفحات مقاله انگلیسی

10

سال انتشار

2015

نشریه

الزویر - Elsevier

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

6018

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق و مهندسی انرژی

گرایش های مرتبط با این مقاله

انرژی های تجدیدپذیر، مهندسی الکترونیک، تولید، انتقال و توزیع و مکاترونیک

مجله

ابرشبکه ها و ریزساختارها - Superlattices and Microstructures

دانشگاه

دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران

کلمات کلیدی

سلول ترمو- فتوولتائیک، سلول پشته ای، سلول خورشیدی با چاه کوانتومی

فهرست مطالب

چکیده
1- مقدمه
2- ساختار سلول
3- مدلها
4- نتایج شبیه‌سازی
5- نتیجه گیری
6- سپاسگذاری و تشكر

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

We design a thermo-photovoltaic Tandem cell which produces high open circuit voltage (Voc) that causes to increase efficiency (g). The currently used materials (AlAsSb–InGaSb/InAsSb) have thermo-photovoltaic (TPV) property which can be a p–n junction of a solar cell, but they have low bandgap energy which is the reason for lower open circuit voltage. In this paper, in the bottom cell of the Tandem, there is 30 quantum wells which increase absorption coefficients and quantum efficiency (QE) that causes to increase current. By increasing the current of the bottom cell, the top cell thickness must be increased because the top cell and the bottom cell should have the same current. In the top cell, by increasing the thickness, absorption coefficients and quantum effi- ciency increase that causes to increase the current. Current increment is also the second factor that causes to increase overall efficiency

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده

ما در این مطالعه سلول پشته ای ترمو- فتوولتائیکی را طراحی می‌کنیم که ولتاژ مدار باز بالایی (Voc) را تولید می‌کند که این ولتاژ افزایش بازده را موجب می‌گردد. مواد کاربردی اخیر (AlAsSb–InGaSb/InAsSb) دارای ویژگی ترمو- فتوولتائیک (TPV) هستند که می‌تواند یک اتصال p- n از یک سلول خورشیدی باشد، ولی این اتصالها دارای انرژی باند ممنوعه پایینی هستند که این امر دلیلی برای ولتاژ مدار باز پایین است. در این مقاله، در سلول پائینی پشته ای ، 30 چاه کوانتوم موجودند که ضرایب جذب و بازده کوانتومی را افزایش می‌دهند و به افزایش جریان منجر می‌گردند. توسط افزایش جریان سلول پائینی، باید ضخامت سلول بالایی افزایش یابد چرا که هر دو سلول باید جریان یکسانی داشته باشند. در سلول بالایی، توسط افزایش ضخامت، ضرایب جذب و بازده کوانتومی افزایش می‌یابد که این امر افزایش جریان را موجب می‌گردد. افزایش جریان نیز فاکتور ثانویه‌ای است که افزایش بازده کل را موجب می‌گردد.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی انرژی