تلفن: 04142273781

ترجمه مقاله مدل سازی اثرات تداخل در معماری باس CNT – نشریه IEEE

عنوان فارسی: مدل سازی اثرات تداخل در معماری باس CNT
عنوان انگلیسی: Modeling Crosstalk Effects in CNT Bus Architectures
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 13 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 33
سال انتشار : 2007 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 6749 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 2.02Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: شیمی، مهندسی پلیمر و مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: نانو فناوری، نانو شیمی، شیمی آلی، شیمی تجزیه و افزاره های میکرو و نانو الکترونیک
مجله: نتایج و یافته های بدست آمده در حوزه نانوتکنولوژی
دانشگاه: گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شمال شرقی، ایالات متحده آمریکا
کلمات کلیدی: معماری باس، نانولوله های کربنی (CNT)، تداخل، مدل خطا، ارتباطات
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

I.مقدمه

II.اتصالات CNT و مدل‌ها

III.اثرات تداخل در معماری بأس CNT

IV. داخل در معماری بأس SWNT موازی

V.تداخل در معماری بأس MWNT

VI. معماری بأس DWNT موازی ارائه شده

VII.مقایسه معماری‌های بأس CNT

VIII.نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Abstract

Carbon nanotubes (CNTs) have been widely proposed as interconnect fabric for nano and very deep submicron (silicon-based) technologies due to their robustness to electromigration. In this paper, issues associated with crosstalk among bus lines implemented by CNTs are investigated in detail. CNT-based interconnects are modeled and the effects of crosstalk on performance and correct operation are evaluated by simulation. Existing models are modified to account for geometries in bus architectures made of parallel single-walled nanotubes and a single multiwalled nanotube. New RLC equivalent circuits are proposed for these bus architectures. A novel bus architecture with low crosstalk features is also proposed. This bus architecture is made of dual-walled nanotubes arranged in parallel. In this architecture, the crosstalk-induced delay and corresponding uncertainty (as well as crosstalk-induced peak voltage) are significantly reduced; a modest area penalty is incurred. Reductions up to 59% for the crosstalk-induced delay and up to 81% for the crosstalk-induced peak voltage are reported. These results confirm that the proposed bus arrangement noticeably improves performance and provides reliable operation.

نمونه متن ترجمه

چکیده

نانولوله‌های کربنی(CNTها) بطور گسترده‌ای به عنوان اساس اتصال در تکنولوژی‌های زیر میکروفون خیلی عمیق  و نانو ارائه شده‌اند که این بخاطر استحکام آنها در حرکت الکترون‌ها می‌باشد. در این مقاله،  مسائل مربوط به تداخل در خطوط بأس توسط CNT ها اجرا و مورد بررسی قرار گرفته است. اتصالات مبتنی بر CNT مدلسازی شده‌اند و اثرات داخل در عملکرد و اجرای صحیح توسط شبیه سازی ارائه شده‌اند. مدل‌های موجود  بریا هندسه‌هایی که در معماری بأس از نانولوله‌های تک جداره و چند جداره ساخته شده‌اند، اصلاح شده‌اند. مدارهای معادل RLC جدید برای این معماری‌ها ارائه شده‌اند. یک معماری بأس جدید با معیارهای تداخلی کم هم ارائه شده است. این معماری بأس از نانولوله‌های دو جداره که بصوت موازی هستند ساخته شده‌اند. در این معماری، تأخیر تداخل القایی و عدم قطعیت مربوطه (مثل ولتاژ پیک تداخل القایی) به میزان قابل توجهی کاهش یافته‌اند. یک خطای منطقه‌ای متوسط وارد شده است. کاهش تا 59% برای تأخیر تداخل القایی و تا 81% برای ولتاژ پیک تداخل القایی گزارش شده است. این نتایج تاکید می‌کنند که سازماندهی بأس ارائه شده به طرز محسوسی عملکرد را بهتر می‌کند و عملکرد بهتری فراهم می‌کند.