ترجمه مقاله کاهش جریان نشتی در FET بدون پیوند تونلی با استفاده از منبع با ناخالصی کم - نشریه اشپرینگر

قیمت خرید این محصول

۲۹,۰۰۰ تومان

دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

کاهش جریان نشتی در FET بدون پیوند تونلی با استفاده از منبع با ناخالصی کم

عنوان انگلیسی

Leakage current reduction in junctionless tunnel FET using a lightly doped source

صفحات مقاله فارسی

12

صفحات مقاله انگلیسی

6

سال انتشار

2014

نشریه

اشپرینگر - Springer

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد

کد محصول

20

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر

ترجمه شده است

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر

ترجمه نشده است

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق و فیزیک

گرایش های مرتبط با این مقاله

فیزیک کاربردی، سیستم های قدرت، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مهندسی الکترونیک

مجله

فیزیک کاربردی A

دانشگاه

گروه مهندسی برق، موسسه فناوری هندی Kanpur، هند

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
مقدمه
ساختار دستگاه و پارامترهای شبیه سازی
نتایج و مباحث

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

In this paper, we explain the problem of dramatic OFF-state leakage in junctionless tunnel field effect transistor (JLTFET) for a channel thickness greater than 10 nm. In JLTFET, with channel width greater than 10 nm, the depletion region primarily remains confined below the dielectric–semiconductor interface. Hence, we tend to incur significant leakage through the center of the device. With the help of 2D device simulations, we demonstrate that the cause of the leakage current is predominantly due to thermal injection in the source region and is concentrated through the center of the device. We suggest a technique of using a lightly doped source region, below the p-gate to increase the barrier and prevent any leakage. The proposed alteration records an improved ION/IOFF ratio for JLTFET for a channel of width 20 nm.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
در این مقاله، مسئله نشتی حالت- OFF (خاموش) قابل توجه در ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند (JLTFET) برای ضخامت شبکه بیشتر از 10 نانومتر را تشریح می کنیم. JLTFET، با عرض شبکه بیشتر از 10 نانومتر، منطقه تخلیه عمدتا زیر رابط نیمه هادی- دی الکتریک محدود باقی می ماند. بنابراین، تمایل به این داریم که نشتی قابل قابل توجه از طریق مرکز دستگاه را متحمل شویم. با استفاده از شبیه سازی های دستگاه دو بعدی، نشان می دهیم که دلیل جریان نشتی عمدتا به دلیل تزریق حرارتی در منطقه منبع است و از طریق مرکز دستگاه متمرکز می شود. روش استفاده از منطقه منبع با ناخالصی کم، زیر گیت- p را به منظور افزایش موانع و جلوگیری از هر گونه نشتی ارائه می کنیم. تغییر ارائه شده یک نسبت ION/IOFF بهبود یافته برای JLTFET برای شبکه هایی با عرض 20 نانومتر را ثبت می کند.

برچسب‌ها: دانلود رایگان مقالات انگلیسی مهندسی برق، دانلود رایگان مقالات انگلیسی فیزیک