تلفن: 04142273781

ترجمه مقاله منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر – نشریه IEEE

عنوان فارسی: منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر
عنوان انگلیسی: Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 11
سال انتشار : 2000 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 9193 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 1.60Mb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله: الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، برق قدرت و مهندسی الکترونیک
دانشگاه: گروه مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه کالیفرنیا، برکلی
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر : ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر : ترجمه نشده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

مقدمه

ساخت دستگاه

خواص دستگاه

مدل انتقال

تجزیه و تحلیل / بحث

نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی

Introduction

The single[1] and double[2] gate thin-body transistors are promising device designs for the 5-50nm gate-length regime. One of their major challenges is the large series resistance of the thin body layer. In this paper we present a method for reducing this resistance with the use of dual low-barrier silicide source/drains: PtSi for PMOS, and ErSi1.7 for NMOS, Fig. 1. In previous studies, bulk-Si silicide source/drain MOSFETs[3] have exhibited large leakage currents. Our use of a thin body reduces leakage by orders of magnitude. This symbiotic relationship between leakage suppression by the thin-body structure and the low series resistance of the silicide source/drain structure results in a promising device technology that can be scaled down to 15nm gate-length. It also provides an alternative to the elevated source/drain approach as a general method for reducing series resistance of thin-body designs.

نمونه متن ترجمه

مقدمه

تنها [1] و [2] گیت ترانزیستور بدنه نازک نوید طرح دستگاه برای رژیم با طول گیت 5-50 مانومتر است. یکی از چالش های عمده ، مقاومت زیادی لایه بدنه نازک است. در این مقاله ما یک روش برای کاهش این مقاومت با استفاده از دو مانع منبع سیلیسید / درین : PtSi for PMOS ، و ErSi1.7 for NMOS است، شکل 1. در مطالعات قبلی، منبع سیلیسید / MOSFET [3] جریان نشتی بزرگ به نمایش گذاشته اند. استفاده ما از بدنه نازک باعث کاهش نشت می شود. این رابطه همزیستی بین سرکوب نشت توسط ساختار بدنه نازک و مقاومت از نتایج ساختار ظرفیتی منبع سیلیکون / درین در یک فن آوری دستگاه است که می تواند طول گیت 15نانومتر کوچک شود. همچنین یک جایگزین برای رویکرد منبع / درین بالا به عنوان یک روش کلی برای کاهش مقاومت از طرح های بدنه نازک فراهم می کند.