تلفن: ۰۴۱۴۲۲۷۳۷۸۱
تلفن: ۰۹۲۱۶۴۲۶۳۸۴

دانلود ترجمه مقاله طراحی تقویت کننده قدرت AB کلاس CMOS باند-C برای تامین ولتاژ پایین – مجله IEEE

عنوان فارسی: طراحی تقویت کننده قدرت AB کلاس CMOS باند-C برای تامین ولتاژ فوق العاده پایین ۱.۹V
عنوان انگلیسی: Design of a C-Band CMOS Class AB Power Amplifier for an Ultra Low Supply Voltage of 1.9 V
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 تعداد صفحات ترجمه فارسی : 12
سال انتشار : 2007 نشریه : آی تریپل ای - IEEE
فرمت مقاله انگلیسی : PDF فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده
کد محصول : 4126 رفرنس : دارد
محتوای فایل : zip حجم فایل : 877.03Kb
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق و فیزیک
گرایش های مرتبط با این مقاله: اپتیک و لیزر، اپتوالکترونیک، مهندسی الکترونیک و سیستم های الکترونیک دیجیتال
مجله: کنفرانس بین المللی مایکروویو و اپتوالکترونیک
دانشگاه: دانشگاه فنی درسدن، آلمان
کلمات کلیدی: تقویت‌کننده توان، ولتاژ تغذیه پایین، تحلیل کشش بار
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه شده است
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است
ترجمه این مقاله با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.
فهرست مطالب

چکیده

۱     مقدمه

۲  فرآیند طراحی

A   تعیین معماری

B  تحلیل کشش بار

C  نتایج تحلیل کشش بار

D   طراحی مدار

۳   اندازه‌گیری در برابر شبیه‌سازی نتایج

۴    مقایسه حالت  فنی

۵    نتیجه‌گیری و  چشم‌انداز

نمونه متن انگلیسی

Abstract

Present day power amplifier (PA) design struggles with the fact that applicable supply voltages are continuously shrinking for short channel MOS transistors, which makes reaching high output power values increasingly difficult. This work develops a Class AB PA with an optimized load impedance for maximum output power with the help of a systematic loadpull analysis. It will display necessary trade offs for optimum output power and small signal gain. The presented PA, realized in CMOS, shows a measured output power of 19.8 dBm at 5.8 GHz for a supply voltage of 1.9 V. The drain efficiency at the 1 dB compression point reaches 28.1 %, the highest report up to today for this output power level.

نمونه متن ترجمه

چکیده

تقویت‌کننده‌های توان (PA)  کوشش‌ها بااین حقیقت که ولتاژ تامین‌شده قابل اجرا  به‌طور مداوم برای کانال‌های کوتاه ترانزیستور MOS کاهش‌می‌یابد را طراحی‌می‌کنند،  که باعث می‌شود مقدار توان خروجی بالای به‌طور فزاینده دشوارمی‌شود.  این کار کلاس AB PA را  با  یک امپدانس بار بهینه‌شده  برای حداکثر توان خروجی با کمک تحلیل کشش بار توسعه‌می‌دهد.  این مبادلات ضروری توان خروجی بهینه و افزایش‌دهنده سیگنال‌های کوچک را نشان‌می‌دهد. PA نشان‌داده‌شده، در CMOS تحقق می‌یابد، توان خروجی اندازه‌گرفته‌شده  19.8dBm در 5.8GHz برای ولتاژ تامین‌شده 1.9v را نشان‌می‌دهد.  تخلیه بهره‌وری در نقطه فشرده‌سازی 1dB  به 28.1%  بالاتر از گزارش امروز برای این سطح توان خروجی می‌رسد.

نحوه خرید نسخه پاورپوینت این مقاله

محصولات مشابه