ترجمه مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی بر اساس حامل های بار پروتونی - نشریه الزویر

ترجمه مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی بر اساس حامل های بار پروتونی - نشریه الزویر
قیمت خرید این محصول
۲۳,۰۰۰ تومان
دانلود رایگان نمونه دانلود مقاله انگلیسی
عنوان فارسی
ترانزیستورهای اثر میدانی بر اساس حامل های بار پروتونی
عنوان انگلیسی
Field effect transistor based on protons as charge carriers
صفحات مقاله فارسی
5
صفحات مقاله انگلیسی
4
سال انتشار
2010
نشریه
الزویر - Elsevier
فرمت مقاله انگلیسی
PDF
فرمت ترجمه مقاله
ورد تایپ شده
رفرنس
دارد ✓
کد محصول
8773
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر
ترجمه شده است ✓
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر
ترجمه نشده است ☓
وضعیت ترجمه منابع داخل متن
درج نشده است ☓
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه
به صورت عکس، درج شده است ✓
رشته های مرتبط با این مقاله
مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله
سیستمهای قدرت، مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی
مجله
مقالات Eurosensors
دانشگاه
گروه فناوری میکروسیستم، موسسه سنسورها و سیستمهای فعال کننده، دانشگاه تکنولوژی وین، اتریش
کلمات کلیدی
نانوسیالیت، انتقال الکترون، ترانزیستور اثر میدانی
۰.۰ (بدون امتیاز)
امتیاز دهید
فهرست مطالب
چکیده
1.مقدمه
2.نظریه تئوری انتقال یون در نانوکانال¬های محدود شده
3. طراحی و ساخت
4. خصوصیات دستگاه و اندازه گیری ها
5. نتیجه گیری
نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی
Abstract

We demonstrated a field effect transistor based on the modulation of the proton flow in confined water-containing nanochannels. The device resembles an MOSFET transistor with the difference that the charge carriers here are ions (i.e. protons) instead of electrons. The effective cross-section of the conductive channels in the transistor is defined by the intensity of the electrical double layer and by the potential applied to the transistor gate.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی
چکیده
ترانزیستور اثرمیدانی بر اساس مدولاسیون جریان پروتونی در نانوکانال های حاوی آب محدود شده ارائه کرده ایم. این دستگاه، شبیه ترانزیستور MOSEFET است؛ با این تفاوت که حامل های بار در اینجا به جای الکترون ها، یون ها (یعنی پروتون ها) هستند. مقطع عرضی موثر کانال های هادی در این ترانزیستور با شدت دولایه الکتریکی و پتانسیل اعمال شده به گیت (ورودی) ترانزیستور تعریف شده ا ست.

بدون دیدگاه