ترجمه مقاله اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم – نشریه IEEE

عنوان فارسی: | اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود |
عنوان انگلیسی: | Impact of Threading Dislocations on the Design of GaAs and InGaP/GaAs Solar Cells on Si Using Finite Element Analysis |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 | تعداد صفحات ترجمه فارسی : 14 |
سال انتشار : 2013 | نشریه : آی تریپل ای - IEEE |
فرمت مقاله انگلیسی : PDF | فرمت ترجمه مقاله : ورد تایپ شده |
کد محصول : 5881 | رفرنس : دارد |
محتوای فایل : zip | حجم فایل : 2.59Mb |
رشته های مرتبط با این مقاله: مهندسی برق و مهندسی انرژی |
گرایش های مرتبط با این مقاله: فناوری های انرژی، انرژی تجدیدپذیر، مهندسی الکترونیک و افزاره های میکرو و نانو الکترونیک |
مجله: مجله فتوولتائیک - JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS |
دانشگاه: آزمایشگاه انرژی پایدار و دستگاه های پیشرفته، مهندسی برق و کامپیوتر، فناوری ویرجینیا، بلکسبرگ، ایالات متحده آمریکا |
کلمات کلیدی: III–V، مواد نیمه هادی، طول عمر حامل بار، سلول های فوتوولتایک، مدلسازی دستگاه نیمه هادی |
وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول: ترجمه شده است |
وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول: ترجمه نشده است |
وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه: به صورت عکس، درج شده است |
چکیده
مدل شبیه سازی
نتایج و تشریح مطالب
الف. سلول 1J GaAs روی سیلیسیم
ب. سلول 2J InGaP/GaAs روی سیلیسیم
ث. تطبیق جریان در سلول 2J InGaP/GaAs روی سیلیسیم
د. اثر بازترکیب سطحی بر سلول 2J InGaP/GaAs
نتیجه گیری
Abstract
We investigate the impact of threading dislocation densities on the photovoltaic performance of single-junction (1J) n+ /p GaAs and dual-junction (2J) n+ /p InGaP/GaAs solar cells on Si substrate. Using our calibrated model, simulation predicts an efficiency of greater than 23% for a 1J GaAs cell on Si at AM1.5G spectrum at a threading dislocation density of 106 cm−2 . The design of a metamorphic 2J InGaP/GaAs solar cell on Si was optimized by tailoring the 2J cell structure on Si to achieve current matching between the subcells, taking into account a threading dislocation density of 106 cm−2 . Finally, we present a novel and an optimized 2J InGaP/GaAs solar cell design on Si at a threading dislocation density of 106 cm−2 , which exhibited a theoretical conversion efficiency of greater than 29% at AM1.5G spectrum, indicating a path for viable III–V multijunction cell technology on Si.
چکیده
ما اثر تراکم های جابجاشدگی شیار را بر عملکرد فوتوولتایک سلول های خورشیدی با اتصال منفرد (1j) n+ /p GaAs و اتصال دوگانه (2j) n+ /p InGaP/GaAs روی زیرلایه سیلیسیمی مورد بررسی قرار می دهیم. با استفاده از مدل کالیبراسیون ما، شبیه سازی، بازدهی بیش از 23% را برای یک سلول 1J GAAS روی سیلیسیم در طیف AM1.5G در یک تراکم جابجایی شیار 10-6cm-2 پیش بینی می کند. طرح سلول خورشیدی متامورفیک 2J InGaP/GaA روی سیلسیم با مناسب سازی ساختار سلول 2J روی سیلیسیم بهینه می شود تا با درنظرگیری یک تراکم جابجاشدگی شیار 106cm-2 تطبیق جریان بین سلول های فرعی انجام شود. در نهایت، ما یک طرح سلول خورشیدی 2J InGaP/GaAs جدید و بهینه را روی سیلیسیم در یک تراکم جابجاشدگی شیار 10-6cm-2 ارائه می دهیم که یک بازدهی تبدیل تئوریک بیش از 29% را در طیف AM1.5G را نشان داده است که نشان دهنده یک مسیر برای فناوری سلول چنداتصالی تدوام پذیر III–V روی سیلیسیم می باشد.