ترجمه مقاله ابزارهای قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون بر عایق با اکسید مدفون - نشریه الزویر

قیمت خرید این محصول

۲۹,۰۰۰ تومان

دانلود مقاله انگلیسی

عنوان فارسی

ابزارهای قدرت جانبی جدید پوشش سیلیکون بر عایق با اکسید مدفون

عنوان انگلیسی

New SOI lateral power devices with trench oxide

صفحات مقاله فارسی

14

صفحات مقاله انگلیسی

9

سال انتشار

2004

نشریه

الزویر - Elsevier

فرمت مقاله انگلیسی

PDF

فرمت ترجمه مقاله

ورد تایپ شده

رفرنس

دارد ✓

کد محصول

F807

وضعیت ترجمه عناوین تصاویر و جداول

ترجمه نشده است ☓

وضعیت ترجمه متون داخل تصاویر و جداول

ترجمه نشده است ☓

وضعیت ترجمه منابع داخل متن

درج نشده است ☓

وضعیت فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه

به صورت عکس، درج شده است ✓

رشته های مرتبط با این مقاله

مهندسی برق

گرایش های مرتبط با این مقاله

مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی

مجله

الکترونیک حالت جامد - Solid-State Electronics

دانشگاه

موسسه میکروالکترونیک، اتریش

ترجمه این مقاله با کیفیت متوسط انجام شده است. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. ترجمه به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.

۰.۰ (بدون امتیاز)

امتیاز دهید

فهرست مطالب

چکیده
1- مقدمه
2- ساختار های دستگاه
3- نتایج شبیه سازی
3-1 SJ SOI-LDMOSFET
3-2: SOI SA-LIGBT
4- نتیجه گیری

نمونه چکیده متن اصلی انگلیسی

Abstract

We describe new SOI lateral power devices which have a trench oxide to improve the device performance. Highvoltage super-junction (SJ) SOI-LDMOSFETs have a trench oxide in the drift region. It allows to reduce the drift length without degrading the breakdown voltage. With the proposed device structure a reduction of the on-resistance of the n-drift layer can be achieved. The breakdown voltage and the specific on-resistance of the suggested devices as a function of the trench oxide depth, the p-column width, and the doping are studied. Shorted-anode lateral insulatedgate bipolar transistors (SA-LIGBTs) on SOI have a trench oxide at the drain/anode region. It suppresses effectively the snap-back voltage inherent in conventional SA-LIGBTs without increasing the anode length of the device. Using the two-dimensional numerical simulator Minimos-NT, we confirm that the drift length of the proposed SJ SOILDMOSFETs is reduced to 65% compared to conventional devices, and a weak negative differential resistance region is observed with the proposed SOI SA-LIGBT.

نمونه چکیده ترجمه متن فارسی

چکیده
ما به توصیف ابزار های قدرت جانبی پوشش سیلیکون بر عایق جانبی می پردازیم که دارای یک اکسید مدفون برای بهبود عملکرد دستگاه است. SOI-LDMOSFET با ولتاژ بالا دارای یک اکسید مدفون است. این خود امکان کاهش طول رانش را بدون کاهش ولتاژ تجزیه می دهد. با ساختار ابزار پیشنهادی، کاهش مقاوم لایه رانش n می تواند حاصل شود. ولتاژ تجزیه و مقاومت ویژه قطعات پیشنهادی به صورت تابعی از عمق اکسید مدفون، پهنای ستون p و دوپینگ تعریف می شود. ترانزیستور های دو قطبی عایق جانبی با آند کوتاه بر روی SOI دارای اکسید مدفون در منطقه آند می باشند. این خود از ولتاز SA-LIGBT بدون افزایش طول آند جلوگیری می کند. با استفاده از یک شبیه ساز عددی دو بعدی، Minimos-NT، تایید می شود که طول رانش SJ SOILDMOSFET پیشنهادی به 65 درصد در مقایسه با ابزار های سنتی کاهش می یابد و منطقه مقاومت دیفرانسیل منفی با SOI SA-LIGBT مشاهده می شود.